[發明專利]晶體硅存儲器制作方法有效
| 申請號： | 201010123665.3 | 申請日： | 2010-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN101800198A | 公開（公告）日： | 2010-08-11 |
| 發明（設計）人： | 顧靖;張博 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體 存儲器 制作方法 | ||
1.一種晶體硅存儲器制作方法，其特征在于包括以下步驟：
在襯底上依次生長襯墊氧化層和納米晶體硅層；
在所述納米晶體硅層上依次生長頂部氧化層和氮化硅層；
去除所述襯底兩側的頂部氧化層、氮化硅層、納米晶體硅層和襯墊氧化 層，使得所述襯底露出第一區域和第二區域；
在所述第一區域生長高壓柵氧層；
去除所述氮化硅層；
在所述第二區域生長低壓柵氧層；
生長晶體硅層并進行刻蝕處理，使得所述高壓柵氧層、所述頂部氧化層 和所述低壓柵氧層上的所述晶體硅層之間相互隔離。
2.根據權利要求1所述的晶體硅存儲器制作方法，其特征在于：所述納 米晶體硅層的厚度范圍為10納米至20納米。
3.根據權利要求1或2所述的晶體硅存儲器制作方法，其特征在于：所 述納米晶體硅層的厚度為10納米。
4.根據權利要求1所述的晶體硅存儲器制作方法，其特征在于：所述高 壓柵氧層的厚度范圍為12納米至18納米。
5.根據權利要求1或4所述的晶體硅存儲器制作方法，其特征在于：所 述高壓柵氧層的厚度為15納米。
6.根據權利要求1所述的晶體硅存儲器制作方法，其特征在于：所述低 壓柵氧層的厚度范圍為5納米至7納米。
7.根據權利要求1或6所述的晶體硅存儲器制作方法，其特征在于：所 述低壓柵氧層的厚度為6納米。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海宏力半導體制造有限公司，未經上海宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010123665.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
