[發(fā)明專利]分立柵快閃存儲(chǔ)器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010123642.2
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號: CN101807577A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧靖
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種分立柵快閃存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底以及依次位于半導(dǎo)體襯底上的柵氧化層、第一多晶硅層和 阻擋層，在所述的阻擋層上形成開口；

刻蝕開口內(nèi)的第一多晶硅層，使第一多晶硅層表面呈弧形；

在阻擋層、所述開口內(nèi)側(cè)壁及第一多晶硅層上形成柵間介質(zhì)層；

在柵間介質(zhì)層上形成第二多晶硅層，且第二多晶硅層填充滿開口；

刻蝕第二多晶硅層，保留開口內(nèi)的預(yù)定厚度的第二多晶硅層；

在開口側(cè)壁的第二多晶硅層上形成第一側(cè)壁層；

以所述阻擋層和第一側(cè)壁層為掩膜，刻蝕第二多晶硅層，形成控制柵；

在開口內(nèi)的控制柵側(cè)壁形成第二側(cè)壁層；

以阻擋層、第一側(cè)壁層和第二側(cè)壁層為掩膜，刻蝕柵間介質(zhì)層和第一多晶 硅層至露出柵氧化層；

在開口內(nèi)的第一側(cè)壁層、第二側(cè)壁層、柵間介質(zhì)層、第一多晶硅層側(cè)壁形 成第三側(cè)壁層；

在開口內(nèi)填充滿傳導(dǎo)層，作為字線；

刻蝕去除阻擋層及其下方的第一多晶硅層和柵氧化層，所述刻蝕后的第一 多晶硅層作為浮柵，其中第一側(cè)壁層、第二側(cè)壁層、第三側(cè)壁層、控制柵、柵 間介質(zhì)層、浮柵構(gòu)成分立結(jié)構(gòu)單元；

在分立結(jié)構(gòu)單元外側(cè)形成側(cè)墻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述分立柵快閃存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，刻蝕 第一多晶硅層使表面呈弧形的工藝為各向同性的干法刻蝕法。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述分立柵快閃存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述 浮柵以及控制柵的材料為多晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述分立柵快閃存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，形成 浮柵以及控制柵的方法為化學(xué)氣相沉積法或低壓等離子體化學(xué)氣相沉積或等離 子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述分立柵快閃存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述 柵氧化層和柵間介質(zhì)層的材料為氧化硅或氧化硅/氮化硅/氧化硅組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述分立柵快閃存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，形成 柵氧化層和柵間介質(zhì)層的工藝為化學(xué)氣相沉積法或低壓化學(xué)氣相沉積法。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述分立柵快閃存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述 第一側(cè)壁層、第二側(cè)壁層的材料為氮化硅或氮氧化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述分立柵快閃存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述 第三側(cè)壁層的材料為含硅的氧化物。