[發明專利]一種半導體成膜裝置裝載腔有效
| 申請號: | 201010123615.5 | 申請日: | 2010-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN102194651A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發明(設計)人: | 吳新江;吳海軍 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 20120*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 裝置 裝載 | ||
技術領域
本發明涉及半導體制造技術領域,特別涉及一種半導體成膜裝置中的裝載腔。
背景技術
半導體制造工藝中,成膜裝置用于在晶圓表面生長膜層。通常成膜裝置包括成膜工藝腔、裝載腔以及位于所述成膜工藝腔和裝載腔之間的晶圓傳送腔。
所述成膜工藝腔是對半導體晶圓成膜的場所。所述裝載腔是用來裝載晶圓,并實現大氣和真空環境轉換的場所,裝載腔具有進氣管道和排氣管道。所述晶圓傳送腔是用來在所述裝載腔和所述成膜工藝腔中傳送晶圓的場所。
圖1為現有技術的裝載腔的結構示意圖。如圖1所示,該裝載腔包括腔體100和頂蓋101,所述腔體100側壁上具有晶圓進入口(圖中未示)和晶圓送出口(圖中未示)。所述裝載腔還具有供氣通道102、氣壓平衡通道103和排氣通道104,所述供氣通道102由所述腔體100外進入所述腔體100的側壁,貫穿所述腔體100的側壁和所述頂蓋101,再通過氣壓緩沖裝置111,穿過所述頂蓋101進入所述腔體100;所述氣壓平衡通道103和所述排氣通道104由所述腔體100內經由所述腔體100的側壁延伸至所述腔體100外,所述氣壓平衡通道103的排氣口位于所述腔體100的上方位置,所述排氣通道104的排氣口位于所述腔體100的下方位置;所述供氣通道102和所述氣壓平衡通道103分別通過閥門105和閥門106控制其通道的開關,所述排氣通道104上設置有泵107,通過所述泵107將所述腔體100內的氣體抽出。所述供氣通道102、所述氣壓平衡通道103和所述排氣通道104用于實現所述裝載腔中的真空和大氣環境轉換。通過所述供氣通道向所述裝載腔內供給氮氣,打開所述閥門106,使所述裝載腔內的空氣通過所述氣壓平衡通道103排出,并通過所述氣壓平衡通道103實現所述裝載腔內的氮氣氣壓與大氣壓的平衡。所述裝載腔內安裝有承載晶圓的平臺108,晶圓由所述晶圓進入口進入所述裝載腔,再由所述晶圓送出口離開所述裝載腔,經所述晶圓傳送腔進入所述成膜工藝腔中。
因所述裝載腔內的潔凈度的要求很高,對所述裝載腔需進行定期清潔,所述裝載腔的頂蓋101即為方便清潔所述裝載腔而設置,打開所述頂蓋101即可對所述裝載腔進行清潔維護。但同時所述裝載腔也需要有很好的密封性,因此,在所述腔體100側壁的頂面上還設置有頂蓋密封圈109和供氣通道密封圈110,所述頂蓋密封圈用于使所述頂蓋101更嚴密的閉合于所述腔體100,所述供氣通道密封圈110用于密封位于所述頂蓋101和所述腔體100側壁間的供氣通道102,避免通過所述供氣通道102內的氣體未經過所述氣壓緩沖裝置111直接進入所述腔體100中。所述氣壓緩沖裝置111用以緩沖所述供氣通道102內的氣體氣壓,使所述供氣通道102內的氣體較為平緩的流進所述腔體100內。
上述現有技術的裝載腔中,由于供氣通道密封圈110的線徑小于頂蓋密封圈109,在所述頂蓋101與所述腔體100閉合后,所述頂蓋101經常會不能壓緊所述供氣通道密封圈110從而造成所述供氣通道102漏氣,從而會對裝載腔中的晶圓產生不良影響。在目前的機臺維護中,工程師通常根據密封圈的實際情況,密封圈進行更換,以減少漏氣情況的發生,但這不能從根本上解決漏氣問題,同時需要消耗人力和材料成本。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種半導體成膜裝置裝載腔,以解決現有技術的裝載腔供氣通道容易產生漏氣的問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種半導體成膜裝置的裝載腔,包括:腔體、頂蓋、供氣通道、排氣通道和氣壓緩沖裝置,所述腔體側壁上具有晶圓進入口和晶圓送出口;所述頂蓋蓋于所述腔體的頂端;所述排氣通道由所述腔體內經由所述腔體的側壁延伸至所述腔體外,還包括過濾器,所述供氣通道由所述腔體外,依次通過過濾器、氣壓緩沖裝置,穿過所述頂蓋進入所述腔體;所述過濾器用以對所述供氣通道內的氣體進行過濾清潔。
可選的,還包括氣壓平衡通道,所述氣壓平衡通道由所述腔體內經由所述腔體的側壁延伸至所述腔體外。
可選的,所述氣壓平衡通道的排氣口位于所述腔體的上方位置。
可選的,所述排氣通道的排氣口位于所述腔體的下方位置。
可選的,所述氣壓平衡通道上設置有閥門控制其通道的開關。
可選的,所述排氣通道上設置有泵。
可選的,所述供氣通道上設置有閥門控制其通道的開關。
可選的,在所述腔體側壁的頂面上還設置有頂蓋密封圈,用于使所述頂蓋嚴密的閉合于所述腔體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





