[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體成膜裝置裝載腔有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010123615.5 | 申請(qǐng)日： | 2010-03-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102194651A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳新江;吳海軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/00 | 分類號(hào)： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體 裝置 裝載 | ||
1.一種半導(dǎo)體成膜裝置的裝載腔，包括：腔體、頂蓋、供氣通道、排氣通道和氣壓緩沖裝置，所述腔體側(cè)壁上具有晶圓進(jìn)入口和晶圓送出口；所述頂蓋蓋于所述腔體的頂端；所述排氣通道由所述腔體內(nèi)經(jīng)由所述腔體的側(cè)壁延伸至所述腔體外，其特征在于，還包括過濾器，所述供氣通道由所述腔體外，依次通過過濾器、氣壓緩沖裝置，穿過所述頂蓋進(jìn)入所述腔體；所述過濾器用以對(duì)所述供氣通道內(nèi)的氣體進(jìn)行過濾清潔。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體成膜裝置的裝載腔，其特征在于，還包括氣壓平衡通道，所述氣壓平衡通道由所述腔體內(nèi)經(jīng)由所述腔體的側(cè)壁延伸至所述腔體外。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體成膜裝置的裝載腔，其特征在于，所述氣壓平衡通道的排氣口位于所述腔體的上方位置。
4.如權(quán)利要求1或3中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體成膜裝置的裝載腔，其特征在于，所述排氣通道的排氣口位于所述腔體的下方位置。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體成膜裝置的裝載腔，其特征在于，所述氣壓平衡通道上設(shè)置有閥門控制其通道的開關(guān)。
6.如權(quán)利要求1或4中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體成膜裝置的裝載腔，其特征在于，所述排氣通道上設(shè)置有泵。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體成膜裝置的裝載腔，其特征在于，所述供氣通道上設(shè)置有閥門控制其通道的開關(guān)。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體成膜裝置的裝載腔，其特征在于，在所述腔體側(cè)壁的頂面上還設(shè)置有頂蓋密封圈，用于使所述頂蓋嚴(yán)密的閉合于所述腔體。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
