[發(fā)明專利]電路板制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010123290.0
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN102196672A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭建邦
• 申請（專利權(quán)）人: 富葵精密組件(深圳)有限公司;鴻勝科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K3/06
• 分類號(hào): H05K3/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電路板制作技術(shù)，尤其涉及一種具有高密度線路的電路板制作方法。

背景技術(shù)

印刷電路板(Printed?Circuit?Board，PCB)作為各種電子元件的載體廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品的封裝。

印刷電路板生產(chǎn)過程中一般包括蝕刻過程。蝕刻過程是使印刷電路板電路板上的沒有被抗蝕層保護(hù)的銅與蝕刻液發(fā)生反應(yīng)，從而被蝕刻掉，最終形成設(shè)計(jì)線路圖形的過程。水平濕制程生產(chǎn)線因具有較高的自動(dòng)化程度以及低成本而廣泛應(yīng)用于印刷電路板生產(chǎn)中。該制程采用水平滾輪帶動(dòng)電路板，利用噴管陣列的噴嘴對電路板上下表面同時(shí)噴灑蝕刻液，其中每個(gè)噴管上可安裝多個(gè)噴嘴。但是，使用該方法進(jìn)行印刷電路板蝕刻時(shí)，在印刷電路板上中央的位置，比較容易積留較多的蝕刻液，形成“水池”，從而產(chǎn)生“水池效應(yīng)”，即，印刷電路板中央?yún)^(qū)域的蝕刻液更新較慢，積留的蝕刻液膜會(huì)降低對線路的咬蝕量，容易發(fā)生線路蝕刻不足，而印刷電路板靠近邊緣的部分的蝕刻液流動(dòng)速度快，更新較快，容易發(fā)生線路過蝕?！八匦?yīng)”的出現(xiàn)最終會(huì)導(dǎo)致印刷電路板上蝕刻不均勻，特別容易使印刷電路板中央?yún)^(qū)域的線路連線，從而造成短路。對于制造具有高密度線路的電路板而言，這種效應(yīng)更加明顯。

因此，有必要提供一種電路板制作方法，以克服水池效應(yīng)，提高高密度線路的蝕刻精度。

發(fā)明內(nèi)容

一種電路板制作方法，包括步驟：提供一個(gè)覆銅基板，所述覆銅基板具有第一導(dǎo)電層，所述覆銅基板包括多個(gè)產(chǎn)品區(qū)和一個(gè)非產(chǎn)品區(qū)，所述非產(chǎn)品區(qū)圍繞所述多個(gè)產(chǎn)品區(qū)；在所述覆銅基板的非產(chǎn)品區(qū)形成多個(gè)第一通孔；在所述第一導(dǎo)電層上形成第一光致抗蝕劑層；圖案化所述第一光致抗蝕劑層，以使得圖案化的第一光致抗蝕劑層露出多個(gè)第一通孔和每個(gè)產(chǎn)品區(qū)內(nèi)的部分第一導(dǎo)電層；向所述覆銅基板噴淋蝕刻液以蝕刻從圖案化的第一光致抗蝕劑層露出的第一導(dǎo)電層，以將每個(gè)產(chǎn)品區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電層均形成第一導(dǎo)電圖形。

一種電路板制作方法，包括步驟：提供一個(gè)覆銅基板，所述覆銅基板具有第一導(dǎo)電層，所述覆銅基板包括多個(gè)產(chǎn)品區(qū)和一個(gè)非產(chǎn)品區(qū)，所述非產(chǎn)品區(qū)圍繞所述多個(gè)產(chǎn)品區(qū)；在所述第一導(dǎo)電層上形成第一光致抗蝕劑層；在所述覆銅基板的非產(chǎn)品區(qū)形成貫穿所述覆銅基板和所述第一光致抗蝕劑層的多個(gè)第一通孔；圖案化所述第一光致抗蝕劑層，以使得圖案化的第一光致抗蝕劑層露出每個(gè)產(chǎn)品區(qū)內(nèi)的部分第一導(dǎo)電層；向所述覆銅基板噴淋蝕刻液以蝕刻從圖案化的第一光致抗蝕劑層露出的第一導(dǎo)電層，以將每個(gè)產(chǎn)品區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電層均形成第一導(dǎo)電圖形。

本技術(shù)方案提供的電路板制作方法在非產(chǎn)品區(qū)形成貫穿光致抗蝕劑層和覆銅基板的多個(gè)第一通孔，從而在蝕刻時(shí)，多余的蝕刻液可經(jīng)由所述第一通孔離開覆銅基板。使用本技術(shù)方案提供的電路板制作方法進(jìn)行電路板蝕刻可克服水池效應(yīng)、提高蝕刻均勻性，還可以提高蝕刻液的利用率。

附圖說明

圖1為本技術(shù)方案第一實(shí)施例提供的覆銅基板的剖面示意圖。

圖2為本技術(shù)方案第一實(shí)施例提供的覆銅基板的俯視圖。

圖3為本技術(shù)方案第一實(shí)施例提供的覆銅基板形成第一通孔、第二通孔和第三通孔后的俯視圖。

圖4為圖3沿IV-IV線的部分剖視圖。

圖5為在上述覆銅基板的第二通孔的孔壁形成導(dǎo)電銅層后的部分剖面示意圖。

圖6為在上述的覆銅基板上形成第一光致抗蝕劑層和第二光致抗蝕劑層后的部分剖面示意圖。

圖7為對上述第一光致抗蝕劑層和第二光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光的剖面示意圖。

圖8為對上述第一光致抗蝕劑層和第二光致抗蝕劑層進(jìn)行顯影后的剖面示意圖。

圖9為對上述覆銅基板蝕刻后的剖面示意圖。

圖10為去除上述覆銅基板上圖案化的第一光致抗蝕劑層和第二光致抗蝕劑層后的剖面示意圖。

圖11為本技術(shù)方案第二實(shí)施例提供的覆銅基板的剖面示意圖。

圖12為本技術(shù)方案第二實(shí)施例提供的覆銅基板的俯視圖。

圖13為本技術(shù)方案第二實(shí)施例提供的覆銅基板形成第二通孔和第三通孔后的俯視圖。

圖14為在圖13的覆銅基板的第二通孔和第三通孔的孔壁形成導(dǎo)電銅層后沿XIV-XIV線的部分剖視圖。

圖15為上述覆銅基板上形成第一光致抗蝕劑層和第二光致抗蝕劑層后的部分剖面示意圖。

圖16為在上述覆銅基板上形成多個(gè)第一通孔后的俯視圖。

圖17為圖16沿XVII-XVII線的部分剖面示意圖。

圖18為對上述第一光致抗蝕劑層和第二光致抗蝕劑層進(jìn)行圖案化后的部分剖面示意圖。

圖19為對上述覆銅基板蝕刻后的部分剖面示意圖。