[發(fā)明專利]太陽能級硅單晶混合摻雜配料方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010122910.9
• 申請日: 2010-03-10
• 公開（公告）號: CN101792933A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 石堅
• 申請（專利權(quán)）人: 嘉興明通光能科技有限公司
• 主分類號: C30B31/18
• 分類號: C30B31/18;G06F19/00
• 代理公司: 杭州九洲專利事務(wù)所有限公司 33101
• 代理人: 翁霽明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及的是一種摻硼摻磷的太陽能級硅單晶混合摻雜配料方法，屬于太陽能級CZ 單晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

目前在太陽能級CZ硅單晶生產(chǎn)過程中，由于使用的物料往往比較復(fù)雜，常引起在配 料的過程中電阻率和硅料補償度失控的情況，嚴重影響到單晶硅片的效率和衰減，同時硅 材料的電阻率也會出現(xiàn)超出預(yù)期的情況。

發(fā)明內(nèi)容

本專利的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，而提供一種通過計算公式或開發(fā)出全自 動運算表格，經(jīng)方便地按序進行計算即可輕易掌握配料技術(shù)，以便控制硅棒質(zhì)量的太陽能 級硅單晶混合摻雜配料方法。該方法是：首先將投入的硅料根據(jù)電阻率和極性計算成對應(yīng) 的濃度，將所述濃度代入P型或N型的電阻率計算公式，得出對應(yīng)硅料的電阻率數(shù)值；再 根據(jù)不同的元素分凝系數(shù)不同，計算出各元素在硅棒不同長度上的濃度，綜合后推算出硅 棒不同長度的電阻率。

所述的投入的硅料根據(jù)電阻率和極性計算成對應(yīng)的濃度，其計算公式是：

計算P型摻雜劑濃度

N(p)=1.33X1016ρ+1.082X1017ρ[1+(54.56ρ)1.105]]]>式(1)，

式中：ρ-----電阻率Ω·cm；N----摻雜劑濃度cm^-3；

或計算N型摻雜劑濃度

N=6.242×1018ρ×10Z]]>式(2)

Z=A0+A1x+A2x2+A3x31+B1x+B2x2+B3x3]]>

式中：x＝log₁₀ρ

A₀＝-3.1083；

A₁＝-3.2626；