[發(fā)明專利]太陽能級硅單晶混合摻雜配料方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010122910.9
• 申請日: 2010-03-10
• 公開（公告）號: CN101792933A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發(fā)明（設計）人: 石堅
• 申請（專利權(quán)）人: 嘉興明通光能科技有限公司
• 主分類號: C30B31/18
• 分類號: C30B31/18;G06F19/00
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司 33101
• 代理人: 翁霽明

1.一種太陽能級硅單晶混合摻雜配料方法，該方法是：首先將投入的硅料根據(jù)電阻 率和極性計算成對應的濃度，將所述濃度代入P型或N型的電阻率計算公式，得出對應硅 料的電阻率數(shù)值；再根據(jù)不同的元素分凝系數(shù)不同，計算出各元素在硅棒不同長度上的濃 度，綜合后推算出硅棒不同長度的電阻率；

所述的投入的硅料根據(jù)電阻率和極性計算成對應的濃度，其計算公式是：

計算P型摻雜劑濃度

N(p)=1.33X1016ρ+1.082X1017ρ[1+(54.56ρ)1.105]]]>式(1)，

式中：ρ-----電阻率Ω·cm??；N----摻雜劑濃度cm^-3；

或計算N型摻雜劑濃度

N=6.242×1018ρ×102]]>式(2)

Z=A0+A1x+A2x2+A3x31+B1x+B2x2+B3x3]]>

式中：x＝log₁₀ρ；

A₀＝-3.1083；

A₁＝-3.2626；

A₂＝-1.2196；

A₃＝-0.13923；

B₁＝1.0265；

B₂＝0.38755；

B₃＝0.041833；

所述的投入的硅料根據(jù)電阻率和極性計算成對應的濃度后，再將所述濃度代入P型或 N型的電阻率計算公式，得出對應硅料的電阻率數(shù)值，其采用如下的計算公式(3)或(4)：

計算P型電阻率

式(3)

或計算N型電阻率

ρ=6.242×1018N×10Z′]]>式(4)

Z′=A′0+A′1y+A′2y2+A′3y31+B′1y+B′2y2+B′3y3]]>

式中；y＝(log₁₀N)-16；

A′₀＝-3.0769；

A′₁＝2.2108；

A′₂＝-0.62272；

A′₃＝0.057501；

B′₁＝-0.68157；

B′₂＝0.19833；

B′₃＝-0.018376。

所述的根據(jù)不同的元素分凝系數(shù)不同，計算出各元素在硅棒不同長度上的濃度，其所 依據(jù)的計算公式是：

σL(z′)=σL(1-z′L)k0-1]]>式(5)

其中σ_L(z′)是晶體生長到Z’時，溶液中溶質(zhì)的濃度；

σ_L是晶體開始生長時，溶液中溶質(zhì)的濃度；

L是晶體生長最大長度；

K₀是溶質(zhì)在溶液中，在相同生長條件下的等效分凝系數(shù)。