[發明專利]用于TAB封裝的載帶及其制造方法

有效

• 申請號: 201010121334.6
• 申請日: 2010-02-23
• 公開（公告）號: CN102054792A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 洪大基;趙東國;具漢謨;林埈永;樸起臺;趙相基;俞大成;宋洛浩;金周澈;趙在升
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L21/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

1.一種TAB帶，包括：

基膜；

形成在所述基膜上的布線圖案和金屬鍍覆層；

傳送區，其包括沿所述基膜的邊緣以預定間隔排列的齒孔行，

其中所述傳送區包括從中暴露出所述基膜的暴露區。

2.如權利要求1所述的TAB帶，其中所述傳送區還包括在所述齒孔行的外周處形成的金屬鍍覆層圖案。

3.如權利要求2所述的TAB帶，其中所述金屬鍍敷層圖案形成在與所述齒孔行相鄰的圖案區處。

4.如權利要求2所述的TAB帶，其中所述金屬鍍覆層圖案是與所述齒孔行分離的圖案區。

5.如權利要求4所述的TAB帶，其中與所述齒孔行分離的所述圖案區形成為具有包括與所述齒孔行分離的至少一個或更多個鍍覆線的結構。

6.如權利要求1～5中任一項所述的TAB帶，其中形成所述金屬鍍覆層的金屬包括Cu、Ni、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一種金屬或所述金屬的二元合金或三元合金。

7.一種制造用于TAB封裝的載帶的方法，包括：

在基膜上形成包括齒孔行和輸入/輸出端子圖案的電路圖案，其中在所述基膜邊緣處形成的傳送區上形成暴露區。

8.如權利要求7所述的方法，其中所述電路圖案的形成包括：

實施絕緣膜的表面活化處理過程；和

通過光刻工藝形成預定的電路圖案。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述表面活化處理過程利用包括Cu、Ni、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一種金屬或所述金屬的二元合金或三元合金形成單層或多層的鍍覆處理層。

10.如權利要求7所述的方法，其中通過選擇性蝕刻工藝形成在所述傳送區上形成的所述暴露區。

11.如權利要求7所述的方法，其中所述暴露區的形成包括：

在所述基膜上涂覆光刻膠層；和

通過光刻工藝，利用配置有選擇性移除區域圖案的光掩模在所述傳送區上形成光刻膠層圖案。