[發明專利]一種內嵌PMOS輔助觸發可控硅結構

無效

• 申請號: 201010121084.6
• 申請日: 2010-03-10
• 公開（公告）號: CN101789428A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 馬飛;韓雁;董樹榮;黃大海;宋波;李明亮;苗萌
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L27/07
• 分類號: H01L27/07;H01L29/74;H01L23/60
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種內嵌PMOS輔助觸發可控硅器件，包括P型襯底(31)，P型 襯底(31)上設置P阱(32)和N阱(33)，其特征在于：所述的P阱(32) 和N阱(33)交界處上方橫跨有PMOS的柵氧(40)以及位于柵氧(40) 上方的多晶硅柵(39)；

所述的N阱(33)上依次設有第一淺壕溝隔離(41)，第一N+注入區 (34)、第二淺壕溝隔離(42)和第一P+注入區(35a)，其中第一P+注入 區(35a)臨近N阱(33)和P阱(32)的交界處，N阱(33)和P阱(32) 的交界處通過多晶硅柵(39)的鏤空形成第二N+注入區(36)；

所述的P阱(32)上依次設有第二P+注入區(35b)、第三N+注入區 (37)、第三淺壕溝隔離(43)和第三P+注入區(38)，其中第二P+注入 區(35b)臨近N阱(33)和P阱(32)的交界處；

所述的第一P+注入區(35a)和第一N+注入區(34)均接入電學陽 極，第三N+注入區(37)和第三P+注入區(38)均接入電學陰極；所述 的多晶硅柵(39)通過觸發電路接入電學陽極和電學陰極。

2.根據權利要求1所述的內嵌PMOS輔助觸發可控硅器件，其特征 在于，所述的觸發電路由電阻和電容構成，其中電容的一端與電阻的一端 相連接且接入多晶硅柵(39)，電阻的另一端接入電學陽極，電容的另一 端接入電學陰極。