[發明專利]多引線通孔的形成方法

有效

• 申請號: 201010119994.0
• 申請日: 2010-02-04
• 公開（公告）號: CN102149255A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 陳敏堯;莊茂樟;李明錦;王建皓
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H05K3/40
• 分類號: H05K3/40;H05K3/42;H05K3/06
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種多引線通孔的形成方法，包括：

提供一基材，至少具有一第一表面和一孔洞，該孔洞具有一孔壁；

形成一第一導電層于該基材的整個表面和該孔壁上；

形成一光阻層于該第一導電層的整個表面上，且選擇性地圖案化該光阻層，以在該第一導電層上定義出數個由該第一表面延伸至該孔壁上的側向分離區域；

以該圖案化光阻層為一屏蔽，在該些側向分離區域上電鍍一第二導電層，且該第二導電層的厚度實質上大于該第一導電層的厚度；

移除該圖案化光阻層；以及

實質上地移除未被該第二導電層覆蓋的部分該第一導電層因而形成數個側向分離的引線，而該些側向分離的引線延伸在該第一表面上且通過該孔洞。

2.如權利要求1所述的多引線通孔形成方法，其中該基材具有一第二表面相對于該第一表面，該孔洞在該第一表面和該第二表面之間延伸，該第一導電層更覆蓋該基材的該第二表面，且該些側向分離區域自該第一表面經由該孔洞延伸至該第二表面。

3.如權利要求1所述的多引線通孔形成方法，其中該光阻層形成步驟包含壓合一干膜光阻于該基材上使得光阻填滿該孔洞。

4.如權利要求1所述的多引線通孔形成方法，其中該光阻層形成步驟包含涂布一光阻液于該基材上使得光阻填滿該孔洞，以及干燥該光阻液以形成該光阻層。

5.如權利要求1所述的多引線通孔形成方法，其中選擇性地圖案化該光阻層的步驟中，更包括形成一光阻阻擋部于該孔洞內，以將該孔洞內區隔出數個獨立空間，該些側向分離區域自該第一表面分別經由該孔洞內的該些獨立空間延伸至該第二表面。

6.如權利要求5所述的多引線通孔形成方法，其中在該些側向分離區域上電鍍該第二導電層后，該第二導電層自該第一表面分別經由該孔洞內的該些獨立空間延伸至該第二表面。

7.如權利要求5所述的多引線通孔形成方法，其中該孔洞內的該光阻阻擋部實質上具有一十字形截面。

8.一種多引線通孔的形成方法，包括：

提供一基材，具有一第一表面和一孔洞，該孔洞具有一孔壁；

形成一第一導電層于該基材的該第一表面和該孔壁上；

對于該孔洞內和該孔洞周圍的該第一導電層選擇性地進行圖案化，以定義出數個絕緣區，其中該些絕緣區由移除該第一導電層所形成，并且每一該些絕緣區由該基材的該第一表面延伸至該孔壁上；

覆蓋一光阻層于該第一導電層的整個表面和該些絕緣區上，且選擇性地圖案化該光阻層，以在該第一導電層上定義出數個第一區域和暴露出該些絕緣區的一第二區域，其中至少兩個該第一區域與該第二區域連接；

以該圖案化光阻層為一屏蔽，在該些第一區域上和該第二區域上該些絕緣區的外的區域電鍍一第二導電層，且所形成的該第二導電層的厚度實質上大于該第一導電層的厚度；

移除該圖案化光阻層；以及

實質上地移除未被該第二導電層覆蓋的該第一導電層的部分，因而形成數個側向分離的引線，而該些側向分離的引線延伸在該第一表面上且通過該孔洞。

9.如權利要求8所述的多引線通孔形成方法，其中在圖案化該第一導電層后，所定義出的該些絕緣區暴露出該基材的該第一表面。

10.如權利要求9所述的多引線通孔形成方法，其中該基材具有一第二表面相對于該第一表面，該孔洞在該第一表面和該第二表面之間延伸，該第一導電層更覆蓋該基材的該第二表面，且該些絕緣區自該第一表面經由該孔洞延伸至該第二表面。

11.如權利要求8所述的多引線通孔形成方法，其中該第一導電層選擇性圖案化步驟包括：

形成一光阻層于該第一導電層的整個表面上，且選擇性地圖案化該光阻層使得在該些絕緣區上的第一導電層裸露于該圖案化光阻層上；以及

以該圖案化光阻層為一屏蔽，蝕刻移除裸露的第一導電層而形成該些絕緣區。