[發明專利]半導體工藝、半導體組件及具有半導體組件的封裝結構有效
| 申請號: | 201010119964.X | 申請日: | 2010-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN102142382A | 公開(公告)日: | 2011-08-03 |
| 發明(設計)人: | 鄭斌宏 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陸勍 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 工藝 組件 具有 封裝 結構 | ||
技術領域
本發明關于一種半導體工藝、半導體組件及具有半導體組件的封裝結構,詳言之,關于一種可提升穿導孔結構的強度的半導體工藝、半導體組件及具有半導體組件的封裝結構。
背景技術
參考圖1及圖2,顯示已知半導體組件的剖面示意圖及其局部放大圖。該已知半導體組件1包括一基材11、一保護層(Passivation?Layer)12、至少一電性組件13、至少一穿導孔結構14及一重布層15。該基材11具有一第一表面111、一第二表面112及至少一溝槽113。該溝槽113開口于該第一表面111。該保護層12位于該基材11的第一表面111。
該電性組件13位于該基材11內,且顯露于該基材11的第二表面112。該穿導孔結構14位于該基材11的溝槽113內,且凸出于該基材11的第一表面111。該穿導孔結構14電性連接至該電性組件13。該穿導孔結構14與該基材11的接面(即第一表面111)的夾角為直角。該重布層15位于該保護層12上,且電性連接該穿導孔結構14。
該已知半導體組件1的缺點如下。該穿導孔結構14與該基材11的接面(即第一表面111)的夾角為直角,使得該穿導孔結構14所承受的應力最大,在施以一外力或熱能后,該穿導孔結構14容易斷裂。
因此,有必要提供一種半導體工藝、半導體組件及具有半導體組件的封裝結構,以解決上述問題。
發明內容
本發明提供一種半導體工藝。該半導體工藝包括以下步驟:(a)提供一半導體組件,該半導體組件包括一基材及至少一導電孔結構,該基材具有一上表面、一第二表面及至少一溝槽,該導電孔結構位于該溝槽內,且具有一第一端及一第二端;及(b)利用一非等向性蝕刻液,從該基材相對于該第二表面的一側移除部分該基材,以形成一第一表面及至少一基座,使該溝槽開口于該第一表面,該導電孔結構凸出于該基材的第一表面,以形成一穿導孔結構,該基座位于該第一表面且環繞該穿導孔結構。
本發明更提供一種半導體組件。該半導體組件包括一基材及至少一穿導孔結構。該基材具有一第一表面、一第二表面、至少一溝槽及至少一基座,該溝槽開口于該第一表面,該基座位于該第一表面。該穿導孔結構位于該基材的溝槽內,且凸出于該基材的第一表面,該基座環繞該穿導孔結構。
本發明再提供一種具有半導體組件的封裝結構。該封裝結構包括一基板、一半導體組件、一芯片及一保護材。該半導體組件位于該基板上,包括一基材及至少一穿導孔結構。該基材具有一第一表面、一第二表面、至少一溝槽及至少一基座,該溝槽開口于該第一表面,該基座位于該第一表面。該穿導孔結構位于該基材的溝槽內,且凸出于該基材的第一表面,該基座環繞該穿導孔結構。該芯片位于該半導體組件上。該保護材位于該基板上,包覆該半導體組件及該芯片。
藉此,該基座提升該穿導孔結構的強度,避免該穿導孔結構斷裂。
附圖說明
圖1顯示已知半導體組件的剖面示意圖;
圖2顯示圖1的局部放大圖;
圖3至圖9顯示本發明半導體工藝的示意圖;
圖10顯示本發明半導體組件的第二實施例的剖面示意圖;
圖11顯示本發明半導體組件的第三實施例的剖面示意圖;及
圖12顯示本發明具有半導體組件的封裝結構的剖面示意圖。
具體實施方式
參考圖3至圖9,顯示本發明半導體工藝的示意圖。參考圖3,提供一半導體組件2。該半導體組件2包括一基材21及至少一導電孔結構26。在本實施例中,該半導體組件2為一晶圓,且更包括至少一電性組件22。該基材21具有一上表面211、一第二表面212及至少一溝槽213。在本實施例中,該基材21的材質為硅,且該基材21的晶格方向為(100)。該電性組件22位于該基材21內,且顯露于該基材21的第二表面212。在本實施例中,該電性組件22為互補式金屬-氧化層-半導體(Complementary?Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)。
該導電孔結構26位于該基材21的溝槽213內,且具有一第一端231及一第二端232。該第二端232連接該電性組件22,該導電孔結構26并未貫穿該基材21,亦即該導電孔結構26的第一端231并未顯露于該基材21的上表面211。在本實施例中,該導電孔結構26包括一外絕緣層233及一導體234,該外絕緣層233位于該溝槽213的側壁,定義出一第二中心槽235,該導體234填滿該第二中心槽235。該導電孔結構26的導體234的材質為銅。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





