[發明專利]半導體工藝、半導體組件及具有半導體組件的封裝結構

有效

• 申請號: 201010119964.X
• 申請日: 2010-02-02
• 公開（公告）號: CN102142382A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: 鄭斌宏
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種半導體工藝，包括：

(a)提供一半導體組件，該半導體組件包括一基材及至少一導電孔結構，該基材具有一上表面、一第二表面及至少一溝槽，該導電孔結構位于該溝槽內，且具有一第一端及一第二端；及

(b)利用一非等向性蝕刻液，從該基材相對于該第二表面的一側移除部分該基材，以形成一第一表面及至少一基座，使該溝槽開口于該第一表面，該導電孔結構凸出于該基材的第一表面，以形成一穿導孔結構，該基座位于該第一表面且環繞該穿導孔結構。

2.如權利要求1的工藝，其中該步驟(a)中，該基材的材質為硅，該基材的晶格方向為(100)。

3.如權利要求1的工藝，其中該步驟(b)之前，更包括一利用研磨方式，從該基材的上表面移除部分該基材，以形成一第三表面的步驟，該導電孔結構的第一端顯露于該基材的第三表面，該步驟(b)中，利用一非等向性蝕刻液，從該基材的第三表面移除部分該基材。

4.如權利要求1的工藝，其中該步驟(b)中，該基座具有一外周面，該外周面與該穿導孔結構的夾角為135度。

5.如權利要求1的工藝，其中該步驟(b)中，該基座由該基材的第一表面向上延伸，且該基座的材質與該基材相同。

6.如權利要求1的工藝，其中該步驟(b)中，該基座的高度小于該穿導孔結構凸出于該基材的第一表面的距離。

7.一種半導體組件，包括：

一基材，具有一第一表面、一第二表面、至少一溝槽及至少一基座，該溝槽開口于該第一表面，該基座位于該第一表面；及

至少一穿導孔結構，位于該基材的溝槽內，且凸出于該基材的第一表面，該基座環繞該穿導孔結構。

8.如權利要求7的組件，其中該基材的材質為硅，該基材的晶格方向為(100)。

9.如權利要求7的組件，其中該基座具有一外周面，該外周面與該穿導孔結構的夾角為135度。

10.如權利要求7的組件，其中該基座由該基材的第一表面向上延伸，且該基座的材質與該基材相同。

11.如權利要求7的組件，其中該基座的高度小于該穿導孔結構凸出于該基材的第一表面的距離。

12.如權利要求7的組件，其中該穿導孔結構包括一外絕緣層及一導體，該外絕緣層位于該溝槽的側壁，定義出一第二中心槽，該導體位于該第二中心槽的側壁。

13.如權利要求7的組件，其中該穿導孔結構包括一外絕緣層及一導體，該外絕緣層位于該溝槽的側壁，定義出一第二中心槽，該導體填滿該第二中心槽。

14.如權利要求7的組件，其中該穿導孔結構包括一外絕緣層、一導體及一內絕緣層，該外絕緣層位于該溝槽的側壁，定義出一第二中心槽，該導體位于該第二中心槽的側壁，定義出一第一中心槽，該內絕緣層填滿該第一中心槽。

15.一種具有半導體組件的封裝結構，包括：

一基板；

一半導體組件，位于該基板上，包括：

一基材，具有一第一表面、一第二表面、至少一溝槽及至少一基座，該溝槽開口于該第一表面，該基座位于該第一表面；及

至少一穿導孔結構，位于該基材的溝槽內，且凸出于該基材的第一表面，該基座環繞該穿導孔結構；

一芯片，位于該半導體組件上；及

一保護材，位于該基板上，包覆該半導體組件及該芯片。

16.如權利要求15的封裝結構，其中該基材的材質為硅，該基材的晶格方向為(100)。

17.如權利要求15的封裝結構，其中該基座具有一外周面，該外周面與該穿導孔結構的夾角為135度。

18.如權利要求15的封裝結構，其中該基座由該基材的第一表面向上延伸，且該基座的材質與該基材相同。

19.如權利要求15的封裝結構，其中該基座的高度小于該穿導孔結構凸出于該基材的第一表面的距離。