[發明專利]升壓電路有效
| 申請號: | 201010119515.5 | 申請日: | 2010-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN101814831A | 公開(公告)日: | 2010-08-25 |
| 發明(設計)人: | 大谷綾香;岡智博 | 申請(專利權)人: | 精工電子有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/10 | 分類號: | H02M3/10 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 升壓 電路 | ||
1.一種升壓電路,其對輸入的電源電壓進行升壓并輸出,其特征在 于,該升壓電路具有:
升壓部,其輸出第一升壓電壓和比所述第一升壓電壓高的第二升壓 電壓;
第一輸出端子,其輸出所述第一升壓電壓;
第二輸出端子,其輸出所述第二升壓電壓;
第一放電電路,其在所述升壓部停止了升壓動作后,對所述第一輸 出端子的電壓進行放電;以及
第二放電電路,其在所述升壓部停止了升壓動作后,對所述第二輸 出端子的電壓進行放電,
當所述第二輸出端子的電壓與所述第一輸出端子的電壓之間的電壓差 為規定電壓以下時,所述第二放電電路放電至所述第一輸出端子的電位,
所述升壓電路還具有輸入控制信號的控制端子,
所述第二放電電路具有:
耗盡型NMOS晶體管,其源極與所述第一輸出端子連接,漏極與所 述第二輸出端子連接,柵極與所述控制端子連接,背柵與接地端子連接;
增強型PMOS晶體管,其源極以及背柵與所述第二輸出端子連接, 柵極與所述第一輸出端子連接;以及
增強型NMOS晶體管,其源極以及背柵與規定電位連接,漏極與所 述增強型PMOS晶體管的漏極連接,柵極與所述控制端子連接,
所述規定電壓為所述增強型PMOS晶體管的閾值電壓的絕對值。
2.根據權利要求1所述的升壓電路,其特征在于,
所述規定電位為接地電位。
3.根據權利要求1所述的升壓電路,其特征在于,
所述規定電位為電源電壓。
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