[發明專利]阻抗校正裝置及其方法有效
| 申請號: | 201010119412.9 | 申請日: | 2010-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN102163964A | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發明(設計)人: | 王文山;吳亭瑩 | 申請(專利權)人: | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H03H11/04 | 分類號: | H03H11/04 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 阻抗 校正 裝置 及其 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種阻抗校正方法,特別是涉及一種阻抗校正裝置及其方法。
背景技術
目前,市面上對于高速的傳輸接口都有定義其阻抗(impedance)值的大小,以讓設計者可以預先設計相近阻抗值的輸出能力,而達到阻抗匹配,降低反射波,進而降低噪聲的目的。不過,市面上傳輸接口的設計大部分只有考慮到工藝的偏移、外部電壓的不同、以及環境溫度改變等因素,而未考慮到電路板本身所可能造成的影響。
請參考圖1,其為現有技術常運用的阻抗校正的方法。在電路上,一般在集成電路外部設計有一顆精密電阻Rref,并使其接地VSSQ。內部電阻R則接到電源VDDQ,利用分壓定理即可以知道點6的電壓。點6的電壓即為點5的電壓,其與工作電路1的點4電壓做比較,若點5的電壓小于點4的比較電壓Vcomp,比較器3會將此電壓差輸出至控制電路2,其將輸出控制訊號將內部電阻R的阻值調小;反的,若點5的電壓大于點4的比較電壓Vcomp,則控制電路2所傳出的控制訊號會將內部電阻R的阻值拉大。如此,即可通過調整內部電阻R的阻抗值而達到阻抗匹配的目的。
以上的現有技術的方法,須要于集成電路外部裝置一精密電阻,其成本較高,且無法適度處理電路板本身的路徑的阻抗值所可能造成的影響。
發明內容
為實現上述目的,本發明提供一種阻抗校正裝置,包含:驅動單元、步階訊號產生器、參考阻抗、檢測單元、阻抗計算單元與阻抗值設定單元。步階訊號產生器,用以產生步階訊號。參考阻抗具有一固定的阻抗值,其一端耦接步階訊號產生器,另一端耦接待測電路。檢測單元耦接參考阻抗的另一端,用以檢測經由參考阻抗的步階訊號與步階訊號經由待測電路后的量測訊號。阻抗計算單元耦接檢測單元,用以依據步階訊號與量測訊號計算待測電路的特性阻抗值。阻抗值設定單元耦接阻抗計算單元,用以依據特性阻抗值調整驅動單元的校正阻抗的阻抗值,以匹配特性阻抗值。
本發明還提供一種阻抗校正方法,包含以下步驟:提供參考阻抗與校正阻抗,其中校正阻抗為可調整。產生一步階訊號經由參考阻抗予待測電路。檢測步階訊號與由待測電路所產生的量測訊號。依據步階訊號與量測訊號計算待測電路的特性阻抗值。依據特性阻抗值調整校正阻抗的阻抗值,以匹配特性阻抗值。
以下將在實施方式中詳細敘述本發明的詳細特征以及優點,其內容足以使本領域的技術人員了解本發明的技術內容并據以實施,且根據本說明書所揭示的內容、權利要求及附圖,本領域的技術人員可輕易地理解本發明相關的目的及優點。
附圖說明
圖1為現有技術的阻抗校正的電路圖;
圖2為本發明的阻抗校正裝置100功能方塊圖的第一實施例;
圖3為以TDR方法所量測的波形示意圖;
圖4為本發明的驅動單元的實施例;
圖5為本發明的阻抗校正裝置100功能方塊圖的第二實施例;及
圖6為本發明的阻抗校正方法流程圖的實施例。
附圖符號說明
1????????工作電路
2????????控制電路
3????????放大器
4????????點
5????????點
6????????點
31、32???路徑
100??????阻抗校正裝置
102??????步階訊號產生器
103??????開關
104??????檢測單元
106??????阻抗計算單元
108??????阻抗值設定單元
110??????驅動單元
200??????電路板
210??????DDR存儲器
L1???????第一路徑
P1???????點
P2???????點
P3???????點
P4???????點
R????????內部電阻
Rref?????精密電阻
Rc???????等效阻抗
Rs???????參考阻抗
Rd???????校正阻抗
VDD??????電壓源
Vcomp????比較電壓
VDDQ?????工作電源
VSSQ?????接地
具體實施方式
本發明運用時域反射法(Time?Domain?Reflectomety,以下簡稱TDR)的原理,來提供電路一個入射波與反射波的對應值,再依據此對應值來進行內部阻抗值的校正。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于瑞昱半導體股份有限公司,未經瑞昱半導體股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010119412.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





