[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010117901.0
• 申請(qǐng)日: 2010-03-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102194961A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 簡(jiǎn)克偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/48;H01L33/60
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，包含一基板、一導(dǎo)線架及至少一用于發(fā)出至少一種波長(zhǎng)光線的半導(dǎo)體發(fā)光組件，該基板具有一第一面及一第二面；該導(dǎo)線架設(shè)置于該基板的第一面上；其特征在于：該基板之第一面以及該導(dǎo)線架上形成有復(fù)數(shù)個(gè)納米反射結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導(dǎo)線架具有一承載部以及至少一連結(jié)部，所述半導(dǎo)體發(fā)光組件設(shè)置于該承載部并且電性連結(jié)于該至少一連結(jié)部，并且所述納米反射結(jié)構(gòu)形成于所述承載部以及所述連接部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體發(fā)光組件設(shè)有一貫通第一面及一第二面的通孔，該通孔容置一導(dǎo)熱體，該半導(dǎo)體發(fā)光組件位于該導(dǎo)熱體第一面上，并且所述導(dǎo)熱體的第一面上形成有復(fù)數(shù)個(gè)納米反射結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述復(fù)數(shù)個(gè)納米反射結(jié)構(gòu)彼此之間具有一距離相同之間距，并且該間距系小于可見(jiàn)光波長(zhǎng)的1/2。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述間距為90至130納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述相鄰兩個(gè)納米反射結(jié)構(gòu)間之間隙具有一相對(duì)深度，并且該相對(duì)深度與該間距的比值大于或等于2。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述復(fù)數(shù)個(gè)納米反射結(jié)構(gòu)為下列至少一種形狀或其組合：梯形、倒梯形、橢圓形、半圓形、矩形、金字塔形、倒金字塔型或其它不規(guī)則等形狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述復(fù)數(shù)個(gè)納米反射結(jié)構(gòu)的折射率大于該基板以及該導(dǎo)線架的折射率。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，更包含一覆蓋層，形成于該基板之第一面上，其特征在于：所述覆蓋層覆蓋該半導(dǎo)體發(fā)光組件以及一部份的該導(dǎo)線架。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光組件封裝結(jié)構(gòu)，更包含至少一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換單元摻雜于該覆蓋層中。