[發明專利]半導體裝置用基板、半導體裝置及它們的制造方法

有效

• 申請號: 201010117688.3
• 申請日: 2010-02-11
• 公開（公告）號: CN101859701A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 濱田陽一郎;細樅茂
• 申請（專利權）人: 住友金屬礦山株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L23/12
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 雒運樸;李偉

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置用基板、半導體裝置及它們的制造方法。

背景技術

目前，眾所周知的半導體裝置的制造方法如專利文獻1(日本特開2002-9196號公報)中所示，在基板的具有導電性的一面形成實施了預定的圖案化的抗蝕圖層，在除了抗蝕圖層以外的露出基板的面，以超過抗蝕圖案的厚度電沉積導電性金屬，以此分別獨立地并列形成上端部周邊具有伸出部的半導體元件搭載用金屬層和電極層，然后除去抗蝕圖層，在金屬層上搭載半導體元件，用接合線電連接半導體元件上的電極和電極層，用樹脂密封半導體元件的搭載部分，然后通過除去基板而得到露出金屬層和電極層的各背面的樹脂密封體。

根據上述半導體裝置的制造方法，由于伸出部能以陷入到樹脂中的狀態設置，因此根據咬合效果，金屬層、電極層與樹脂之間的結合力提高，在后續工序中分離基板時，金屬層或電極層等的重要部件不會粘在基板側而一同分離，而是留在樹脂密封體一側，可以有效地防止分離或脫落等，可以確保將半導體裝置焊接到電子部件的基板上后的粘結強度。

并且，根據形成在金屬層及電極層的上端部整個周邊的特有的伸出形狀，可以阻止水分從半導體裝置背面側的金屬層、電極層的各層和密封樹脂層之間的邊界部分等侵入，從而可以構成具有耐濕性的部件。

但是，根據上述專利文獻1中記載的結構，由于電沉積的厚度會超過抗蝕圖案的厚度而進行，因此在橫向也絲毫不會存在抗蝕圖案限制電沉積的情況，這導致容易受到電流密度的分布等的影響，難以將伸出部保持為一定的長度，電極層或金屬層與樹脂之間的結合力產生偏差。并且，由于上表面也是在沒有任何抗蝕圖案的限制的情況下進行電沉積，因此上表面不能形成為平面，容易產生接合線接觸不良的問題。

近年，半導體裝置追求小型化，用于半導體裝置的半導體元件也具有小型化趨勢，因此半導體裝置用基板的電極層也被要求微細化、高精度化。

但是，像專利文獻1中記載的那樣，如果不能高精度地控制對應于半導體元件而設置的電極層的大小，則可能存在不能應對今后的微細化的問題。并且，為了得到電極層或金屬層與樹脂之間的可靠的咬合效果，需要將伸出部分長度設為5μm～20μm的范圍，所設定的伸出部的長度越長，電極層或金屬層的厚度需要越厚，因此存在不能應對半導體裝置的薄型化的問題。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種半導體裝置用基板的制造方法、半導體裝置的制造方法、半導體裝置用基板以及半導體裝置，以使金屬層或電極層的橫向大小均勻，金屬層或電極層與密封樹脂之間的結合力高且穩定，電極上表面平坦且具有良好的粘結性，并且還能充分應對半導體裝置的小型化或薄型化。

為了實現上述目的，第一發明的半導體裝置用基板的制造方法，包含：在具有導電性的基板的表面形成抗蝕層的抗蝕層形成工序；使用玻璃掩膜對所述抗蝕層進行露光的露光工序，所述玻璃掩膜包含掩膜圖案，該掩膜圖案具有透過區域和遮光區域，在該透過區域和該遮光區域之間具有透過率比該透過區域低、而比該遮光區域高的中間透過區域；對所述抗蝕層進行顯影，在所述基板上形成抗蝕圖案的顯影工序，所述抗蝕圖案具有包含傾斜部的側面形狀，所述傾斜部形成為隨著接近所述基板，開口部外周變小；使用該抗蝕圖案對所述基板的露出部分進行電鍍而形成金屬層的電鍍工序，該金屬層具有包含傾斜部的側面形狀，該傾斜部形成為隨著接近所述基板，外周變小；除去所述抗蝕圖案的抗蝕劑除去工序。

據此，可以形成具有包含隨著接近基板一側，外周變小的傾斜部的側面形狀的金屬層，在進行樹脂密封后，即使對基板進行剝離，也會形成密封樹脂從下方固定金屬層的傾斜部的狀態，因此在后續的半導體制造工序中，可以提供保持充分的強度半導體裝置用基板。

根據第二發明，在第一發明的半導體裝置用基板的制造方法中，所述掩膜圖案的所述中間透過區域由與所述透過區域具有相同透過率的透過部和與所述遮光區域具有相同透過率的遮光部混合而構成。

據此，調整透過部和遮光部的比率，根據掩膜圖案的形狀可以調整透過率，在不進行特殊的掩膜加工、無需增加工序的情況下，可以調整中間透過區域的透過率。

根據第三發明，在第二發明的半導體裝置用基板的制造方法中，所述中間透過區域在所述遮光部的區域中包含一部分所述透過部。

據此，可以根據開口的大小或數量來調整中間透過區域的透過率，可以用簡單的結構進行靈活的透過率調整。

根據第四發明，在第二發明的半導體裝置用基板的制造方法中，所述中間透過區域包含劃分所述透過部的區域和所述遮光部的區域的鋸齒形狀的邊界線。