[發(fā)明專利]半導體裝置用基板、半導體裝置及它們的制造方法

有效

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• 申請日: 2010-02-11
• 公開（公告）號: CN101859701A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發(fā)明（設計）人: 濱田陽一郎;細樅茂
• 申請（專利權）人: 住友金屬礦山株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L23/12
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 雒運樸;李偉

1.一種半導體裝置用基板的制造方法，其特征在于包含，

在具有導電性的基板的表面形成抗蝕層的抗蝕層形成工序；

使用玻璃掩膜對所述抗蝕層進行露光的露光工序，所述玻璃掩膜包含掩膜圖案，該掩膜圖案具有透過區(qū)域和遮光區(qū)域，并在該透過區(qū)域和該遮光區(qū)域之間具有透過率比該透過區(qū)域低、而比該遮光區(qū)域高的中間透過區(qū)域；

通過對所述抗蝕層進行顯影而在所述基板上形成抗蝕圖案的顯影工序，所述抗蝕圖案形成為包含傾斜部的側面形狀，所述傾斜部形成為隨著接近所述基板，開口部外周變小；

使用該抗蝕圖案對所述基板的露出部分進行電鍍而形成金屬層的電鍍工序，該金屬層形成為包含傾斜部的側面形狀，該傾斜部形成為隨著接近所述基板，外周變小；

除去所述抗蝕圖案的抗蝕劑除去工序。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置用基板的制造方法，其特征在于，所述掩膜圖案的所述中間透過區(qū)域由與所述透過區(qū)域具有相同透過率的透過部和與所述遮光區(qū)域具有相同透過率的遮光部混合而構成。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體裝置用基板的制造方法，其特征在于，所述中間透過區(qū)域在所述遮光部的區(qū)域中部分地包含所述透過部。

4.根據(jù)權利要求2所述的半導體裝置用基板的制造方法，其特征在于，所述中間透過區(qū)域包含劃分所述透過部的區(qū)域和所述遮光部的區(qū)域的鋸齒形狀的邊界線。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體裝置用基板的制造方法，其特征在于，所述抗蝕圖案的側面形狀形成為，上表面的所述開口部外周具有與所述邊界線大致相同的鋸齒形狀，隨著接近下面的所述基板，鋸齒大小變小。

6.根據(jù)權利要求1至5中的任意一項所述的半導體裝置用基板的制造方法，其特征在于，在所述電鍍工序中，以小于或等于所述抗蝕圖案的厚度形成所述金屬層。

7.根據(jù)權利要求1至6中的任意一項所述的半導體裝置用基板的制造方法，其特征在于，所述金屬層為進行引線接合的電極或搭載半導體元件的區(qū)域。

8.根據(jù)權利要求1至7中的任意一項所述的半導體裝置用基板的制造方法，其特征在于，在所述顯影工序和所述電鍍工序之間還包含對所述抗蝕圖案進行露光的抗蝕圖案穩(wěn)定化工序。

9.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于包含：

在半導體裝置用基板上搭載半導體元件的工序，所述半導體裝置用基板是通過權利要求1至8中的任意一項所述的半導體裝置用基板的制造方法來制造的；

將所述半導體裝置用基板的金屬層作為電極，通過引線接合來連接所述半導體元件的端子和所述電極的工序；

用樹脂密封被搭載到所述半導體裝置用基板上的所述半導體元件的工序；

除去所述半導體裝置用基板的工序。

10.半導體裝置用基板，在基板上具有金屬層的電極及半導體元件搭載區(qū)域，其特征在于，

所述電極和/或所述半導體元件搭載區(qū)域的形狀形成為，上表面具有鋸齒形狀，側面包含隨著接近所述基板一側外周變小且向內側削進的傾斜部，而且隨著接近下表面一側，鋸齒大小變小。

11.根據(jù)權利要求10所述的半導體裝置用基板，其特征在于，所述電極和/或所述半導體元件搭載區(qū)域的所述上表面為平坦面。

12.一種半導體裝置，用樹脂密封上表面被用作引線接合的電極而下表面被用作外部端子的電極用金屬層、搭載有半導體元件的半導體元件搭載用金屬層、被搭載于該半導體元件搭載用金屬層上且端子通過引線接合連接于所述電極的半導體元件，其特征在于，

所述電極用金屬層和/或所述半導體元件搭載用金屬層的形狀形成為，上表面具有鋸齒形狀，側面包含隨著接近下表面一側外周變小且向內側削進的傾斜部，且隨著接近下表面一側，鋸齒的大小變小。

13.根據(jù)權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，所述電極用金屬層和/或所述半導體元件搭載用金屬層的上表面為平坦面。