[發明專利]電子元件封裝體及其制造方法有效
| 申請號: | 201010117669.0 | 申請日: | 2010-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN102148221A | 公開(公告)日: | 2011-08-10 |
| 發明(設計)人: | 陳偉銘;張恕銘 | 申請(專利權)人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/03 | 分類號: | H01L25/03;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子元件 封裝 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種電子封裝,特別是涉及一種具有多重芯片的電子元件封裝體及其制造方法。
背景技術
隨著電子或光電產品諸如數字相機、具有影像拍攝功能的手機、條碼掃描器(bar?code?reader)以及監視器需求的增加,半導體技術發展的相當快速,且半導體芯片的尺寸有微縮化(miniaturization)的趨勢,而其功能也變得更為復雜。
因此,兩個以上的半導體芯片通常為了效能上的需求而置放于同一密封的封裝體,以助于操作上的穩定。然而,由于多重的半導體芯片相對于單一半導體芯片芯片而言具有更多的輸入/輸出(I/O)導電墊,因而增加半導體封裝的困難度,使其良率降低。
因此,有必要尋求一種新的封裝體結構,其能夠解決上述的問題。
發明內容
有鑒于此,本發明一實施例提供一種電子元件封裝體,包括:一種電子元件封裝體,包括:一承載基板、至少二半導體芯片、一填充材料層、一保護層及多個導電凸塊。承載基板包括一接地區,而半導體芯片設置于承載基板的接地區上,其中每一半導體芯片包括至少一信號墊及電連接至接地區的至少一接地墊。填充材料層形成于承載基板上并覆蓋半導體芯片。保護層覆蓋填充材料層,而導電凸塊設置于保護層上,且電連接至半導體芯片。
本發明另一實施例提供一種電子元件封裝體的制造方法,包括:提供至少二半導體芯片在一承載基板上,其中承載基板包括一接地區,且每一半導體芯片包括至少一信號墊及至少一接地墊。將每一半導體芯片的接地墊電連接至接地區。在承載基板上形成一填充材料層,并覆蓋半導體芯片。在填充材料層上覆蓋一保護層。在保護層上形成多個導電凸塊,且電連接至半導體芯片。
附圖說明
圖1至圖6為根據本發明不同實施例的電子元件封裝體剖面示意圖;
圖7A至圖7D為根據本發明實施例的電子元件封裝體的制造方法剖面示意圖;及
圖8A至圖8D為根據本發明另一實施例的電子元件封裝體的制造方法剖面示意圖。
主要元件符號說明
10~接地區;20~信號區;100~承載基板;101~介電層;102、102a、102b~金屬層;103、103a、103b~導電粘著材料層;103c、103d~非導電粘著材料層;104~填充材料層;104a、104b~開口;106、106a、106b~重布局層;108~保護層;110~導電凸塊;201、202~半導體芯片;204~信號墊;206~接地墊;207~絕緣間隙壁;208~導電插塞。
具體實施方式
以下說明本發明實施例的制作與使用。然而,可輕易了解本發明所提供的實施例僅用于說明以特定方法制作及使用本發明,并非用以局限本發明的范圍。在附圖或描述中,相似或相同部分的元件使用相同或相似的符號表示。再者,附圖中元件的形狀或厚度可擴大,以簡化或是方便標示。此外,未繪示或描述的元件,可以是具有各種熟習該項技藝者所知的形式。
請參照圖1,其為根據本發明實施例的電子元件封裝體剖面示意圖。在本發明的封裝體實施例中,其可應用于各種包含主動元件或被動元件(activeor?passive?elements)、數字電路或模擬電路等集成電路的電子元件(electroniccomponents),例如是有關于光電元件(opto?electronic?devices)、微機電系統(Micro?Electro?Mechanical?Systems,MEMS)、微流體系統(micro?fluidicsystems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測量的物理感測器(physicalsensor)。特別是可選擇使用晶片級封裝制作工藝對影像感測器、發光二極管、太陽能電池、射頻元件(RF?circuits)、加速計(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動器(micro?actuators)、表面聲波元件、壓力感測器(pressure?sensors)、或噴墨頭(ink?printer?heads)等半導體芯片進行封裝。
上述晶片級封裝制作工藝主要指在晶片階段完成封裝步驟后,再予以切割成獨立的封裝體,然而,在一特定實施例中,例如將已分離的半導體芯片重新分布在一承載晶片上,再進行封裝制作工藝,也可稱之為晶片級封裝制作工藝。上述晶片級封裝制作工藝也適用于由堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶片,以形成多層集成電路(multi-layer?integrated?circuitdevices)的封裝體。
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