[發明專利]固體攝像裝置

無效

• 申請號: 201010116043.8
• 申請日: 2010-02-09
• 公開（公告）號: CN101807592A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 齋藤真梨子;井上郁子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L23/485
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙;胡建新

本申請基于2009年2月13日提出的日本申請No.2009-031430，并要求其優先權，并且，本申請在此援引了其所有內容。

技術領域

本發明涉及形成于半導體基板的具有貫通電極的固體攝像裝置，例如涉及攝像機模塊。

背景技術

近年來，各種電子設備的小型化不斷發展，對于具有半導體圖像傳感器的固體攝像裝置也要求小型化。作為用于實現小型化的技術之一，有如下的貫通電極：從形成有半導體圖像傳感器的半導體芯片的背面側到表面側的內部電極形成貫通孔，通過埋入到貫通孔內的導電體層將背面側的電極和表面側的內部電極電連接。

以往，貫通電極的形成方法例如如下所述。從硅基板的背面側到表面側形成貫通孔，然后，在貫通孔內形成絕緣膜。接著，將貫通孔延伸到存在于貫通孔的底面和內部電極之間的上述絕緣膜和層間絕緣膜，然后在貫通孔內埋入導電體層(貫通電極)(例如參照日本特開2007-53149號公報)。

但是，在層間絕緣膜上形成貫通孔時，要在厚度大約50μm～100μm的硅基板下形成直徑大約20μm～30μm的小尺寸的貫通孔，因而必須增厚抗蝕劑膜厚，存在由于對抗蝕劑進行圖案化時的顯影時間較長而導致制造成本上升的問題。此外，由于在去除抗蝕劑時使用的等離子去膠(plasma?asher)，貫通孔中形成在硅基板上的絕緣膜受到損傷，存在在硅基板和導電體層之間產生短路的問題。

發明內容

本發明的一種方式的固體攝像裝置具有：攝像元件，形成在半導體基板的第一主面上；外部端子，形成在上述半導體基板的與上述第一主面相對置的第二主面上；絕緣膜，形成在上述半導體基板上開設的貫通孔內；貫通電極，形成在上述貫通孔內的上述絕緣膜上，與上述外部端子電連接；第一層間絕緣膜，形成在上述半導體基板的上述第一主面上和上述貫通電極上；第一電極，形成在上述第一層間絕緣膜上；以及第一接觸插塞(contactplug)，形成在上述貫通電極和上述第一電極之間的上述第一層間絕緣膜內，將上述貫通電極和上述第一電極電連接。

附圖說明

圖1是表示本發明的實施方式的攝像機模塊的結構的剖視圖。

圖2是放大上述實施方式的攝像機模塊中的硅半導體基板和玻璃基板部分后的剖視圖。

圖3是放大上述實施方式的攝像機模塊中的貫通電極和電極極板部分后的剖視圖。

圖4是上述實施方式的攝像機模塊中的從極板開口部側觀察到的貫通電極和電極極板部分的俯視圖。

圖5是表示上述實施方式的攝像機模塊中的貫通電極的制造方法的第一工序的剖視圖。

圖6是表示上述實施方式的攝像機模塊中的貫通電極的制造方法的第二工序的剖視圖。

圖7是表示上述實施方式的攝像機模塊中的貫通電極的制造方法的第三工序的剖視圖。

圖8是表示上述實施方式的攝像機模塊中的貫通電極的制造方法的第四工序的剖視圖。

圖9是表示上述實施方式的攝像機模塊中的貫通電極的制造方法的第五工序的剖視圖。

圖10是表示上述實施方式的攝像機模塊中的貫通電極的制造方法的第六工序的剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖說明本發明的實施方式。在此，作為固體攝像裝置，選取攝像機模塊作為例子。在說明時，在全部附圖中對共同的部分標注共同的標號。

圖1是表示本發明的實施方式的攝像機模塊的結構的剖視圖。在形成有攝像元件(未圖示)的硅半導體基板(攝像元件芯片)10的第一主面上，通過粘接劑11形成有透光性支撐基板、例如玻璃基板12。在玻璃基板12上通過粘接劑13配置有IR(紅外線)截止濾波器14，在IR截止濾波器14上通過粘接劑15配置有包括攝像透鏡16的透鏡座17。此外，在硅基板10的與第一主面相對置的第二主面上形成有外部端子(電極)、例如焊錫球18。在硅基板10和玻璃基板12的周圍配置有遮光兼電磁遮蔽罩(shield)19，該遮光兼電磁遮蔽罩19用粘接劑20與透鏡座17粘接。通過這樣的結構，形成攝像機模塊100。

上述攝像機模塊100例如通過焊錫球18直接安裝(COB：Chip?OnBoard)在由樹脂或者陶瓷構成的安裝基板200上。

接著，詳細說明圖1中的硅基板10和玻璃基板12的剖面構造。圖2是放大實施方式的攝像機模塊中的硅基板和玻璃基板部分后的剖視圖。攝像機模塊具有形成有攝像元件21的攝像像素部和對從該攝像像素部輸出的信號進行處理的周邊電路部。