[發明專利]固體攝像裝置無效
| 申請號: | 201010116043.8 | 申請日: | 2010-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN101807592A | 公開(公告)日: | 2010-08-18 |
| 發明(設計)人: | 齋藤真梨子;井上郁子 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/485 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 楊謙;胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 | ||
1.一種固體攝像裝置,具有:
攝像元件,形成在半導體基板的第一主面上;
外部端子,形成在上述半導體基板的與上述第一主面相對置的第二主面上;
絕緣膜,形成在上述半導體基板上開設的貫通孔內;
貫通電極,形成在上述貫通孔內的上述絕緣膜上,與上述外部端子電連接;
第一層間絕緣膜,形成在上述半導體基板的上述第一主面上和上述貫通電極上;
第一電極,形成在上述第一層間絕緣膜上;以及
第一接觸插塞,形成在上述貫通電極和上述第一電極之間的上述第一層間絕緣膜內,將上述貫通電極和上述第一電極電連接。
2.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其中,
從與上述半導體基板的上述第一主面垂直的方向觀察時,上述第一接觸插塞配置在上述貫通電極和上述第一層間絕緣膜相接觸的區域內。
3.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其中,
上述固體攝像裝置還具有:
第二層間絕緣膜,形成在上述第一電極上;
第二電極,形成在上述第二層間絕緣膜上;
鈍化膜,形成在上述第二電極上和上述第二層間絕緣膜上,具有開口部,上述開口部露出上述第二電極的一部分;以及
第二接觸插塞,形成在上述第一電極和上述第二電極之間,將上述第一電極和上述第二電極電連接。
4.根據權利要求3所述的固體攝像裝置,其中,
從與上述半導體基板的上述第一主面垂直的方向觀察時,上述第二接觸插塞配置在不與上述貫通孔重合的區域、或者不與上述鈍化膜所具有的上述開口部重合的區域。
5.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其中,
上述固體攝像裝置還具有:
濾色器,與上述攝像元件相對應地配置在上述攝像元件上;以及
微透鏡,配置在上述濾色器上。
6.根據權利要求5所述的固體攝像裝置,其中,
上述固體攝像裝置還具有:
透光性支撐基板,配置在上述半導體基板的上方;以及
粘接材料,粘接上述半導體基板和上述透光性支撐基板。
7.根據權利要求6所述的固體攝像裝置,其中,
在上述微透鏡和上述透光性支撐基板之間存在空洞。
8.根據權利要求6所述的固體攝像裝置,其中,
上述固體攝像裝置還具有:
攝像透鏡,配置在上述透光性支撐基板的上方。
9.根據權利要求8所述的固體攝像裝置,其中,
上述固體攝像裝置還具有:
紅外線截止濾波器,配置在上述透光性支撐基板和上述攝像透鏡之間。
10.根據權利要求1所述的固體攝像裝置,其中,
上述貫通電極將上述攝像元件和上述外部端子電連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社東芝,未經株式會社東芝許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010116043.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:儀表相位標識
- 下一篇:半導體裝置的制造方法及襯底處理裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





