[發(fā)明專利]大尺寸磷酸二氫鉀單晶快速生長降溫程序計算方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010115661.0 | 申請日： | 2010-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN102071459A | 公開（公告）日： | 2011-05-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李國輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類號： | C30B29/14 | 分類號： | C30B29/14;G06F19/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 尺寸 磷酸 二氫鉀單晶 快速 生長 降溫 程序 計算方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種大尺寸磷酸二氫鉀單晶快速生長降溫程序計算方法，該方法包括以下步驟：
(1)首先計算溶液溫度降低帶來的溶質(zhì)析出量m1(g)＝0.00335(T0-T)M，其中T0(℃)為溶液飽和溫度與快速生長初始過飽和溫度之差，T(℃)為生長過程中某一時刻t的溶液溫度，M(g)為生長溶液質(zhì)量。
(2)其次計算生長過程中某一時刻t晶體的生長量m2(g)＝ρ(x2z-x3tgθ/3)，其中KDP晶體密度ρ＝2.338g/cm3，x(cm)和z(cm)分別某一時刻t，KDP晶體的底邊長和高度。
(3)控制晶體的生長量與溶液溫度的降低帶來的溶質(zhì)應(yīng)析出量相等，則m1＝m2，可得某一時刻t時應(yīng)控制生長溶液溫度T＝T0-298.5ρ(x2z-x3tgθ/3)/M，其中KDP晶體底邊長x可以通過載晶架上的刻度測得，晶體高度可以用光學測高儀測得。
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