[發明專利]芯片封裝體及其制造方法

有效

• 申請號: 201010114315.0
• 申請日: 2010-02-05
• 公開（公告）號: CN101996958A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 張恕銘;周正德
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/485;H01L21/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種芯片封裝體，包括：

承載基板；

至少一半導體芯片，設置于該承載基板上，其中該半導體芯片具有多個導電墊；

多個第一重布局層，對應設置于該半導體芯片上并與該多個導電墊電連接；

單層絕緣結構，設置于該承載基板上，并覆蓋該半導體芯片，且跨于該多個第一重布局層上，其中該單層絕緣結構具有多個第一開口以暴露出該多個第一重布局層；

多個第二重布局層，設置于該單層絕緣結構上，并經由該多個第一開口而電連接至該多個第一重布局層；

第一保護層，設置于該單層絕緣結構上并覆蓋該多個第二重布局層，其中該第一保護層具有多個第二開口以暴露出該多個第二重布局層；以及

多個導電凸塊，對應設置于該多個第二開口內，并經由該多個第二開口而電連接至該多個第二重布局層。

2.如權利要求1所述的芯片封裝體，還包括一防滑結構，設置于該承載基板上且圍繞該半導體芯片。

3.如權利要求2所述的芯片封裝體，其中該防滑結構包括至少兩個島狀物，分別鄰近于或接觸該半導體芯片的兩個對角、兩個對邊或兩個鄰邊。

4.如權利要求3所述的芯片封裝體，其中該防滑結構的島狀物具有L型的上視輪廓且鄰近于該半導體芯片的角落。

5.如權利要求2至4任一項所述的芯片封裝體，其中該防滑結構包括金屬材料或絕緣材料。

6.如權利要求5所述的芯片封裝體，其中該多個第一重布局層為扇入型重布局層，且該多個第二重布局層為扇出型重布局層。

7.如權利要求6所述的芯片封裝體，還包括一第二保護層，設置于該半導體芯片與該多個第一重布局層之間，其中該第二保護層具有多個第三開口，暴露出該多個導電墊，且該多個第一重布局層經由該多個第三開口而電連接至該多個導電墊。

8.如權利要求1所述的芯片封裝體，其中該承載基板為一空白硅基底。

9.如權利要求1所述的芯片封裝體，其中該單層絕緣結構包括環氧樹脂材料、聚醯亞胺樹脂或苯環丁烯。

10.一種芯片封裝體的制造方法，包括：

提供至少一半導體芯片在一承載基板上，其中該半導體芯片具有多個導電墊；

在該半導體芯片上形成與該多個導電墊電連接的多個第一重布局層；

在該承載基板上形成一單層絕緣結構，并覆蓋該半導體芯片，且跨于該多個第一重布局層上；

定義該單層絕緣結構以形成多個第一開口，暴露出該多個第一重布局層；

在該單層絕緣結構上形成多個第二重布局層，使該多個第二重布局層經由該多個第一開口而電連接至該多個第一重布局層；

在該單層絕緣結構上形成一第一保護層，并覆蓋該多個第二重布局層；

定義該第一保護層以形成多個第二開口，暴露出該多個第二重布局層；以及

在該多個第二開口內對應形成多個導電凸塊，使該多個導電凸塊經由該多個第二開口而電連接至該多個第二重布局層。

11.如權利要求10所述的芯片封裝體的制造方法，還包括在該承載基板上形成一防滑結構，且該防滑結構圍繞該半導體芯片。

12.如權利要求11所述的芯片封裝體的制造方法，其中該防滑結構包括至少兩個島狀物，分別鄰近于或接觸該半導體芯片的兩個對角、兩個對邊或兩個鄰邊。

13.如權利要求12所述的芯片封裝體的制造方法，其中該防滑結構的島狀物具有L型的上視輪廓且鄰近于該半導體芯片的角落。

14.如權利要求11至13任一項所述的芯片封裝體的制造方法，其中該防滑結構包括金屬材料或絕緣材料。

15.如權利要求14所述的芯片封裝體的制造方法，其中該多個第一重布局層為扇入型重布局層，且該多個第二重布局層為扇出型重布局層。

16.如權利要求15所述的芯片封裝體的制造方法，還包括：

在該半導體芯片與該多個第一重布局層之間形成一第二保護層；

定義該第二保護層以形成多個第三開口，以暴露出該多個導電墊，且該多個第一重布局層經由該多個第三開口而電連接至該多個導電墊。

17.如權利要求10所述的芯片封裝體的制造方法，其中該承載基板為一空白晶片。