[發(fā)明專利]芯片封裝體及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010114315.0 | 申請日: | 2010-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN101996958A | 公開(公告)日: | 2011-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張恕銘;周正德 | 申請(專利權(quán))人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/12 | 分類號: | H01L23/12;H01L23/485;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 封裝 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種芯片封裝,特別是涉及一種扇出式(fan-out)芯片封裝體及其制造方法。
背景技術(shù)
隨著電子或光電產(chǎn)品諸如數(shù)字相機、具有影像拍攝功能的手機、條碼掃瞄器(bar?code?reader)以及監(jiān)視器需求的增加,半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的相當(dāng)快速,且半導(dǎo)體芯片的尺寸有微縮化(miniaturization)的趨勢,而其功能也變得更為復(fù)雜。
大多數(shù)的半導(dǎo)體芯片通常為了效能上的需求而置放于一密封的封裝體,其有助于操作上的穩(wěn)定性。然而,由于先進的半導(dǎo)體芯片必須在更小的面積內(nèi)提供更多的輸入/輸出(I/O)導(dǎo)電墊,因而增加半導(dǎo)體封裝的困難度,使其良率降低。尤其是在晶片級封裝(wafer?level?chip?scale?package,WLCSP)的應(yīng)用上,當(dāng)半導(dǎo)體芯片尺寸越來越小時,封裝體的凸塊球距(pitch)以及尺寸會限制位于半導(dǎo)體芯片表面的I/O導(dǎo)電墊數(shù)量而妨礙半導(dǎo)體芯片效能的提升。
因此,有必要尋求一種新的封裝體結(jié)構(gòu),其能夠解決上述的問題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明一實施例提供一種芯片封裝體,包括:一承載基板以及設(shè)置于一承載基板上的至少一半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片具有多個導(dǎo)電墊,而多個第一重布局層位于半導(dǎo)體芯片上且電連接于導(dǎo)電墊。一單層絕緣結(jié)構(gòu)覆蓋承載基板及半導(dǎo)體芯片,且具有多個開口以露出第一重布局層。多個第二重布局層設(shè)置于單層絕緣結(jié)構(gòu)上,并電連接至第一重布局層。一保護層設(shè)置于單層絕緣結(jié)構(gòu)上并覆蓋第二重布局層,具有多個開口以暴露出第二重布局層。多個導(dǎo)電凸塊對應(yīng)設(shè)置于保護層的開口內(nèi)而電連接至第二重布局層。
本發(fā)明另一實施例提供一種芯片封裝體的制造方法,包括:提供至少一半導(dǎo)體芯片在一承載基板上,其中半導(dǎo)體芯片具有多個導(dǎo)電墊;在半導(dǎo)體芯片上形成與導(dǎo)電墊電連接的多個第一重布局層;在承載基板上形成一單層絕緣結(jié)構(gòu),并覆蓋半導(dǎo)體芯片,且跨于第一重布局層上;定義單層絕緣結(jié)構(gòu)以形成多個第一開口,暴露出第一重布局層;在單層絕緣結(jié)構(gòu)上形成多個第二重布局層,使第二重布局層經(jīng)由第一開口而電連接至第一重布局層;在單層絕緣結(jié)構(gòu)上形成一第一保護層,并覆蓋第二重布局層;定義第一保護層以形成多個第二開口,暴露出第二重布局層;以及在第二開口內(nèi)對應(yīng)形成多個導(dǎo)電凸塊,使導(dǎo)電凸塊經(jīng)由第二開口而電連接至第二重布局層。
附圖說明
圖1A至圖1G為根據(jù)本發(fā)明實施例的芯片封裝體的制造方法剖面示意圖;及
圖2A至圖2C為根據(jù)本發(fā)明不同實施例的防滑結(jié)構(gòu)。
主要元件符號說明
10~芯片封裝體;????????100~半導(dǎo)體芯片;
100a~導(dǎo)電墊;??????????102、212~保護層;
102a、208a、212a~開口;200~承載基底;
202~防滑結(jié)構(gòu);?????????204~粘著層;
206、210~重布局層;????208~單層絕緣結(jié)構(gòu);
214~導(dǎo)電凸塊。
具體實施方式
以下說明本發(fā)明實施例的制作與使用。然而,可輕易了解本發(fā)明所提供的實施例僅用于說明以特定方法制作及使用本發(fā)明,并非用以局限本發(fā)明的范圍。在附圖或描述中,相似或相同部分的元件使用相同或相似的符號表示。再者,附圖中元件的形狀或厚度可擴大,以簡化或是方便標示。此外,未繪示或描述的元件,可以是具有各種熟習(xí)該項技藝者所知的形式。
請參照圖1G,其為根據(jù)本發(fā)明實施例的芯片封裝體10剖面示意圖。在本發(fā)明的封裝體實施例中,其可應(yīng)用于各種包含主動元件或被動元件(active?or?passive?elements)、數(shù)字電路或模擬電路等集成電路的電子元件(electronic?components),例如是有關(guān)于光電元件(opto?electronic?devices)、微機電系統(tǒng)(Micro?Electro?Mechanical?Systems,MEMS)、微流體系統(tǒng)(microfluidic?systems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測量的物理感測器(physical?sensor)。特別是可選擇使用晶片級封裝制作工藝對影像感測器、發(fā)光二極管、太陽能電池、射頻元件(RF?circuits)、加速計(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動器(micro?actuators)、表面聲波元件、壓力感測器(pressure?sensors)、或噴墨頭(ink?printer?heads)等半導(dǎo)體芯片進行封裝。
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