[發(fā)明專利]包括用于沉浸式光刻裝置的傳送區(qū)的環(huán)境系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010113626.5
• 申請日: 2004-04-01
• 公開（公告）號: CN101813892A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發(fā)明（設計）人: 托馬斯·W·諾萬克;安德魯·J·黑茲爾頓;道格拉斯·C·沃特森
• 申請（專利權）人: 株式會社尼康
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/027;H01L21/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

本分案申請是基于申請?zhí)枮?004800096738，申請日為2004年4 月1日，發(fā)明名稱為“包括用于沉浸式光刻裝置的傳送區(qū)的環(huán)境系統(tǒng)” 的中國專利申請的分案申請。

相關專利申請

本申請要求獲得如下專利申請的優(yōu)先權，即臨時專利申請系列 No.60/462,112，其于2003年4月10日提出申請，題目為“用于沉浸式 光刻的真空環(huán)系統(tǒng)和芯環(huán)系統(tǒng)”(VACUUM?RING?SYSTEM?AND? WICK?RING?SYSTEM?FOR?IMMERSION?LITHOGRAPHY)，和臨 時專利申請系列No.60/485,033，其于2003年7月2日提出申請，題 目為“圍繞透鏡周圍為沉浸式光刻清除和檢查沉浸流體的泵和芯的多 中心布局”(MULTIPLE?CONCENTRIC?ARRANGEMENT?OF? PUMPS?AND?WICKS?AROUND?PERIPHERY?OF?LENS?TO? REMOVE?AND?INSPECT?IMMERSION?LIQUID?FOR? IMMERSION?LITHOGRPHY)。在允許的范圍內，本文引用臨時專利 申請系列Nos.60/462,112和60/485,033的內容作為參考。

背景技術

在半導體處理期間，曝光裝置通常用于將圖像從刻線板(reticle) 轉移到半導體晶片上。典型的曝光裝置包括一個照射源，一個定位刻 線板的刻線板臺組件(reticle?stage?assembly)，一個光學組件，一個定 位半導體晶片的晶片臺組件，和一個精確監(jiān)視刻線板和晶片位置的測 量系統(tǒng)。

沉浸式光刻系統(tǒng)利用一層充滿光學組件與晶片之間間隙的沉浸 流體。晶片在典型的光刻系統(tǒng)中快速移動，并可預期會將沉浸流體從 間隙中攜帶出去。脫離間隙的沉浸流體會干擾光刻系統(tǒng)其它部分的工 作。例如，沉浸流體會干擾監(jiān)視晶體位置的測量系統(tǒng)。

發(fā)明內容

本發(fā)明涉及一種環(huán)境系統(tǒng)，其用于控制位于光學組件與保持在器 件臺上的器件之間的間隙內的環(huán)境。該環(huán)境系統(tǒng)包括沉浸流體源和位 于器件附近的傳送區(qū)。該沉浸流體源輸送進入間隙的沉浸流體。該傳 送區(qū)捕集離開間隙的沉浸流體。利用該設計，在某些實施例中，本發(fā) 明可避免對器件使用直接真空吸引，直接真空吸引會潛在影響器件和/ 或光學組件。

在一個實施例中，環(huán)境系統(tǒng)包括流體屏障，其位于器件附近并包 圍間隙。而且，流體屏障能夠將傳送區(qū)保持在器件附近。

在一個實施例中，環(huán)境系統(tǒng)包括一個流體清除系統(tǒng)，其將沉浸流 體從傳送區(qū)附近清除出去。在另一個實施例中，該流體清除系統(tǒng)能夠 引導清除流體，從而將沉浸流體從傳送區(qū)清除出去。在該實施例中， 清除流體的清除流體溫度可高于沉浸流體的沉浸流體溫度。

在一個實施例中，傳送區(qū)是一個包括多個用于收集傳送區(qū)附近沉 浸流體的通道的基片。作為一個實例，傳送區(qū)能夠用通過毛細作用輸 送沉浸流體的材料制成。在該實施例中，通道能夠是多個孔。在可替 換實施例中，通道能夠是多個延伸通過傳送區(qū)的相互間隔的傳送孔 (transport?aperture)。

本發(fā)明還涉及一種曝光裝置，一種晶片，一種器件，一種用于控 制間隙內環(huán)境的方法，一種用于制造曝光裝置的方法，一種用于制造 器件的方法和一種用于制造晶片的方法。

附圖說明

圖1是具有本發(fā)明特征的曝光裝置的側視圖；

圖2A是圖1曝光裝置一部分的透視圖；

圖2B是沿著圖2A的2B-2B線獲得的剖面圖；

圖2C是沿著圖2B的2C-2C線獲得的放大圖；

圖2D是曝光裝置一部分另一個實施例的放大圖；

圖3A是具有本發(fā)明特征的沉浸流體源的側視圖；

圖3B是具有本發(fā)明特征的流體清除系統(tǒng)的側視圖；

圖3C是具有本發(fā)明特征的流體清除系統(tǒng)另一個實施例的側視 圖；

圖3D是具有本發(fā)明特征的流體清除系統(tǒng)再一個實施例的側視 圖；

圖4是曝光裝置另一個實施例的放大剖面圖；

圖5A是曝光裝置再一個實施例一部分的放大剖面圖；

圖5B是沿著圖5A的5B-5B線獲得的放大圖；

圖6A是描述根據本發(fā)明的器件的制造處理的流程圖；