[發(fā)明專利]包括用于沉浸式光刻裝置的傳送區(qū)的環(huán)境系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010113626.5
• 申請日: 2004-04-01
• 公開（公告）號: CN101813892A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發(fā)明（設計）人: 托馬斯·W·諾萬克;安德魯·J·黑茲爾頓;道格拉斯·C·沃特森
• 申請（專利權）人: 株式會社尼康
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/027;H01L21/00
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種沉浸式光刻裝置包括：

用于保持晶片的臺；

刻線板臺，用于保持限定圖像的刻線板；

投影系統(tǒng)，其包括照射源和光學元件，所述投影系統(tǒng)用于將由刻 線板限定的圖像投影到所述晶片上的曝光區(qū)中；位于所述光學元件和 所述晶片之間的間隙被沉浸流體填充；和

多孔材料，其鄰近所述間隙放置，包括多個用于收集離開所述間 隙的沉浸流體的通道，并且所述多孔材料在容納框的底側上或底側附 近固定于所述容納框；以及

包括支持組件的框支架，通過該支持組件所述容納框被可移動地 支持。

2.根據(jù)權利要求1的沉浸式光刻裝置，其中在所述多孔材料和 所述晶片之間形成的框間隙在0.1mm-2mm之間。

3.根據(jù)權利要求1的沉浸式光刻裝置，還包括流體清除系統(tǒng)， 該流體清除系統(tǒng)與所述多孔材料和鄰近所述多孔材料并在所述多孔材 料上方形成的清除室流體連通，并且該流體清除系統(tǒng)從所述多孔材料 去除沉浸流體。

4.根據(jù)權利要求3的沉浸式光刻裝置，其中所述流體清除系統(tǒng) 保持跨多孔材料的壓力差、并且包括回收貯存器，該回收貯存器用于 捕集來自所述容納框中的所述多孔材料上方形成的所述清除室中的沉 浸流體。

5.根據(jù)權利要求1-4中任一項的沉浸式光刻裝置，其中所述支 持組件包括以活動方式支持所述容納框的活動部件。

6.根據(jù)權利要求1-4中任一項的沉浸式光刻裝置，其中所述支 持組件包括可以用來調整所述容納框的位置的致動器。

7.根據(jù)權利要求6的沉浸式光刻裝置，其中所述框支架包括監(jiān) 視所述容納框的位置的框測量系統(tǒng)。

8.根據(jù)權利要求5的沉浸式光刻裝置，其中所述容納框允許沿 Z軸移動。

9.根據(jù)權利要求8的沉浸式光刻裝置，其中所述容納框被禁止 沿與所述Z軸垂直的X軸和Y軸移動。

10.根據(jù)權利要求1-4中任一項的沉浸式光刻裝置，其中所述框 支架支持所述容納框的重量的全部或僅一部分。

11.根據(jù)權利要求1-4中任一項的沉浸式光刻裝置，其中所述沉 浸流體被釋放到所述投影系統(tǒng)和所述容納框之間的空間。

12.根據(jù)權利要求1-4中任一項的沉浸式光刻裝置，還包括用于 在所述容納框與所述晶片和/或用于保持所述晶片的所述臺之間產(chǎn)生 流體軸承的器件。

13.根據(jù)權利要求8的沉浸式光刻裝置，其中所述容納框包括與 軸承流體源流體連通的軸承出口，所述軸承流體源向所述軸承出口提 供加壓的流體以產(chǎn)生空氣靜力學軸承。

14.根據(jù)權利要求1-4中任一項的沉浸式光刻裝置，其中所述框 支架將所述容納框與所述沉浸式光刻裝置的裝置框連接。

15.根據(jù)權利要求1-4中任一項的沉浸式光刻裝置，還包括用于 控制所述間隙中的壓力的壓力控制器。

16.根據(jù)權利要求1-4中任一項的沉浸式光刻裝置，其中所述多 孔材料具有20微米-200微米之間的孔尺寸。

17.一種沉浸式光刻裝置，包括：

用于保持晶片的臺；

刻線板臺，用于保持限定圖像的刻線板；

投影系統(tǒng)，其包括照射源和光學元件，所述投影系統(tǒng)用于將由刻 線板限定的圖像投影到所述晶片上的曝光區(qū)中；位于所述光學元件和 所述晶片之間的間隙被沉浸流體填充；和

燈芯型結構，其鄰近所述間隙放置，包括多個用于收集離開所述 間隙的沉浸流體的通道，并且所述燈芯型結構在容納框的底側或底側 附近固定于所述容納框；以及

包括支持組件的框支架，通過該支持組件所述容納框被可移動地 支持。

18.根據(jù)權利要求17的沉浸式光刻裝置，其中在所述燈芯型結 構和所述晶片之間形成的框間隙在0.1mm-2mm之間。