[發明專利]一種廢棄芯片單元回收利用方法

有效

• 申請號: 201010113260.1
• 申請日: 2010-02-24
• 公開（公告）號: CN102163537A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 吳圣娟;馮婧;嚴大生
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/60
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本發明涉及半導體封裝測試領域，尤其涉及一種廢棄芯片單元回收利用方法。

背景技術

目前，在半導體行業的存儲器晶片測試過程中，某些芯片單元可能會由于其自身具有某些缺陷而沒有通過測試，例如需要生產DDRI?512Mbit(64Mbit×8)產品，該產品需有8根數據線，而前端測試中發現生產出來的產品只有4根數據線，即為DDRI?512Mbit(128Mbit×4)，由于數據線結構限制而導致該產品沒有通過測試。沒有通過測試的芯片單元通常不能直接被利用。因此，這些芯片單元在塑封之前從晶片上被切割下來而淘汰和廢棄掉。將測試出來的有缺陷的芯片單元直接報廢，既對環境造成污染，又降低了企業的經濟效益。

發明內容

本發明的目的在于提供一種廢棄芯片單元回收利用方法，用于對半導體存儲器中的因數據線結構限制而廢棄的芯片單元進行回收利用，以解決半導體存儲器中測試出來的有缺陷的芯片單元被直接報廢，對環境造成污染，降低企業的經濟效益的問題。

為解決上述問題，本發明提出一種廢棄芯片單元回收利用方法，所述方法包括如下步驟：

選取引線框架，所述引線框架的引腳數量大于所述廢棄芯片單元中的焊點數量；

將所述廢棄芯片單元封裝至所述引線框架，并將所述廢棄芯片單元上的預留焊點電連接至所述引線框架中未使用的引腳；

通過連接所述預留焊點的引腳對所述廢棄芯片單元施加轉換電壓，將所述廢棄芯片單元的數據線結構轉換為目標數據線結構。

可選的，所述方法還包括：對所述經過回收的廢棄芯片單元進行電壓、電流的測試和功能性的測試，判斷經過轉換的數據線結構是否符合目標數據線結構。

可選的，所述通過連接所述預留焊點的引腳對所述廢棄芯片單元施加轉換電壓，將所述廢棄芯片單元的數據線結構轉換為目標數據線結構包括以下步驟：

對所述廢棄芯片單元進行斷路/短路測試和功能性測試，選出性能符合要求的廢棄芯片單元；

對所述廢棄芯片單元進行信號輸入，用數字脈沖控制所述信號輸入，并在與所述預留焊點相連接的引腳上加7V～9V的高電壓脈沖信號，實現所述廢棄芯片單元數據線結構的轉化；

對所述預留焊點相連接的引腳降壓；

對數據線結構轉換后的所述廢棄芯片單元的數據線進行功能測試。

可選的，所述廢棄芯片單元的型號為4根數據線的DDRI?512Mbit(128Mbit×4)。

可選的，所述引線框架的型號為16根數據線的DDRI?512Mbit(32Mbit×16)。

本發明所提供的廢棄芯片單元回收利用方法可對前段測試過程中廢棄的芯片單元進行重新利用，打破廢棄的芯片單元因數據線結構而形成的用途上的限制，變廢為寶，從而減少了環境污染，提高了企業的經濟效益。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的廢棄芯片單元回收利用方法的步驟流程示意圖；

圖2為本發明實施例提供的廢棄芯片單元回收利用方法的引線框架選取示意圖；

圖3為本發明實施例提供的廢棄芯片單元回收利用方法的封裝打線示意圖；

圖4為本發明實施例提供的廢棄芯片單元回收利用形成合格產品封裝后的效果圖；

圖5為本發明實施例提供的廢棄芯片單元回收利用方法中的改變產品數據結構的步驟流程圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的廢棄芯片單元回收利用方法作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

本發明的核心思想在于，提供一種廢棄芯片單元回收利用方法，該方法通過在封裝測試階段轉換產品的數據線結構，使得在前段測試過程中廢棄的芯片單元得以重新利用，打破廢棄的芯片單元因數據線結構而形成的用途上的限制，變廢為寶，從而減少了環境污染，提高了企業的經濟效益。

下面將詳細介紹對只有4根數據線而沒有通過測試的DDRI?512Mbit(128Mbit×4)廢棄芯片單元進行回收利用，轉換為符合要求的含有8根數據線的DDRI?512Mbit(64Mbit×8)產品的過程。所述DDRI為雙倍速率同步動態隨機存儲器。

請參考圖1，圖1為本發明實施例提供的廢棄芯片單元回收利用方法的步驟流程示意圖，如圖2所示，對只有4根數據線的DDRI?512Mbit(128Mbit×4)廢棄芯片單元進行回收利用，轉換為含有8根數據線的DDRI?512Mbit(64Mbit×8)產品的方法包括以下步驟：