[發明專利]一種廢棄芯片單元回收利用方法有效
| 申請號： | 201010113260.1 | 申請日： | 2010-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN102163537A | 公開（公告）日： | 2011-08-24 |
| 發明（設計）人： | 吳圣娟;馮婧;嚴大生 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 廢棄 芯片 單元 回收 利用 方法 | ||
1.一種廢棄芯片單元回收利用方法，用于對半導體存儲器中的因數據線結構限制而廢棄的芯片單元進行回收利用，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
選取引線框架，所述引線框架的引腳數量大于所述廢棄芯片單元中的焊點數量；
將所述廢棄芯片單元封裝至所述引線框架，并將所述廢棄芯片單元上的預留焊點電連接至所述引線框架中未使用的引腳；
通過連接所述預留焊點的引腳對所述廢棄芯片單元施加轉換電壓，將所述廢棄芯片單元的數據線結構轉換為目標數據線結構。
2.如權利要求1所述的廢棄芯片單元回收利用方法，其特征在于，所述方法還包括：對所述經過回收的廢棄芯片單元進行電壓、電流的測試和功能性的測試，判斷經過轉換的數據線結構是否符合目標數據線結構。
3.如權利要求1所述的一種廢棄芯片單元回收利用方法，其特征在于，所述通過連接所述預留焊點的引腳對所述廢棄芯片單元施加轉換電壓，將所述廢棄芯片單元的數據線結構轉換為目標數據線結構包括以下步驟：
對所述廢棄芯片單元進行斷路/短路測試和功能性測試，選出性能符合要求的廢棄芯片單元；
對所述廢棄芯片單元進行信號輸入，用數字脈沖控制所述信號輸入，并在與所述預留焊點相連接的引腳上加7V～9V的高電壓脈沖信號，實現所述廢棄芯片單元數據線結構的轉化；
對所述預留焊點相連接的引腳降壓；
對數據線結構轉換后的所述廢棄芯片單元的數據線進行功能測試。
4.如權利要求1所述的一種廢棄芯片單元回收利用方法，其特征在于，所述廢棄芯片單元的型號為4根數據線的DDRI?512Mbit。
5.如權利要求1所述的一種廢棄芯片單元回收利用方法，其特征在于，所述引線框架的型號為16根數據線的DDRI?512Mbit。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
