[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 201010113008.0
• 申請日: 2006-07-18
• 公開（公告）號: CN101826508A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 清水和宏;秋山肇;保田直紀
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L23/48;H01L27/082;H01L27/115;H01L27/04;H01L23/60;H01L21/00;H01L21/768;H01L21/31
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;李家麟

本申請是下述申請的分案申請：

發明名稱：半導體制造裝置、半導體制造方法及半導體裝置

申請日：2006年7月18日

申請號：200610105554.3

技術領域

本發明涉及制造半導體集成電路等半導體裝置的半導體制造裝置、使用該半導體制造裝置的半導體制造方法和利用該半導體制造方法制造的半導體裝置。

背景技術

在半導體集成電路(以下簡稱為IC)的制造中，在晶片上形成CMOS、雙極性晶體管等有源元件或電阻、電容等無源元件，進而，設置將它們連接起來的金屬布線，從而形成各種各樣的功能，最終完成晶片制造工序。在晶片制造工序結束之后，在切片(切斷)前的晶片狀態下進行作為IC產品的質量確認檢查、即所謂晶片測試。在該晶片測試中，選定滿足預先設定的特性規格值的IC，滿足不了該特性規格值的IC因被拒絕而廢棄。考慮到IC的使用目的等，特性規格值可以在一定程度的容許范圍之內設定。

但是，近年來，以提高傳感器用IC中的檢測信號的靈敏度為目的，或者，以提高電力變換用IC中的變換效率為目的，盡量減小特性規格值的容許范圍地來進行晶片測試，實施應得到高質量的IC的檢查。但是，當減小特性規格值的容許范圍來進行晶片測試時，在利用現有的半導體制造方法制造的IC中，會使被拒絕(拋棄)的不合格品增加，結果導致制造成本的上升。

因此，在晶片測試之后，調整(修整(trimming))未滿足特性規格值的IC的特性值從而做成在特性規格值的容許范圍之內的產品，這已成為今后更重要而必需的技術。因此，提出了各種“修整技術”。典型的“修整技術”有利用激光光線切斷部分布線的“激光修整”、布線時強制使齊納二極管雪崩破壞以形成細絲的“齊納攻擊(ZenerZapping)”、通過向存儲器元件寫入數字數據來調節電路特性的“數字修整”和重新形成電路布線的“布線形成修整”等技術。

如上所述，作為晶片測試后的“修整技術”，提出了各種技術，但是，因修整處理需要昂貴的裝置且必須預先在晶片上形成有可能是廢品的元件或修整用電路，故存在導致制造成本增大的問題。

此外，在“布線形成修整”中，在晶片測試之后，在薄膜上形成與測試結果對應的特別的描繪圖案，并將該薄膜粘著在與該晶片對應的位置上，形成修整用布線(例如，參照日本的特開平5-291258號公報)。但是，在該修整技術中，進行高精度布線很困難，不能以高的成品率制造出高質量的IC。

進而，作為“布線形成修整”技術，提出了下述的修整技術：預先在晶片上形成露出電極端子群的開口，在修整時對對應的開口涂敷金屬膏，使所要的電極端子之間相互連接，并在其上涂敷密封樹脂(例如，參照特開2004-273679號公報)。但是，在上述現有的“布線形成修整”中，因是在所要的電極端子群上的相當寬的范圍內涂敷金屬膏再形成金屬膏層從而進行電連接的結構，故難以進行精細的調整。此外，為了防止電極端子上涂敷形成的金屬膏層的剝離等，必須在金屬膏層的上部形成密封樹脂層，不容易制造且制造工序復雜。

發明內容

本發明的目的在于提供一種能夠利用印刷處理容易對半導體裝置形成所要的電路的半導體制造裝置和半導體制造方法。此外，本發明的目的在于提供一種修整精度高且容易修整的半導體制造裝置、半導體制造方法和利用該半導體制造方法得到的半導體裝置。

為了達到上述目的，本發明的半導體制造裝置具備：晶片測試部，檢測出檢查對象的晶片中的各芯片的特性，根據該檢測出的數據決定用來對各芯片進行修整的描繪圖案；存儲部，存儲與檢查對象的晶片有關的信息；以及描繪圖案印刷部，根據來自上述晶片測試部的描繪圖案的信息和來自上述存儲部的與該晶片有關的信息，利用印刷動作對該晶片的各芯片形成所要的描繪圖案，上述描繪圖案印刷部的結構具有：印刷頭，至少分別射出導電性溶劑、絕緣性溶劑和界面處理液；芯片坐標識別部，通過對該晶片的圖像識別來取得各芯片的坐標信息；以及控制部，根據來自上述晶片測試部的描繪圖案的信息、來自上述存儲部的與該晶片有關的信息和來自芯片坐標識別部的坐標信息，控制上述印刷頭對該晶片的描繪動作。這樣構成的半導體制造裝置因在晶片測試后利用印刷動作形成與該檢查結果對應的描繪圖案，故能高精度形成描繪圖案，能以高的成品率制造出高質量的半導體裝置。