[發明專利]半導體裝置無效
| 申請號: | 201010113008.0 | 申請日: | 2006-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN101826508A | 公開(公告)日: | 2010-09-08 |
| 發明(設計)人: | 清水和宏;秋山肇;保田直紀 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/525 | 分類號: | H01L23/525;H01L23/48;H01L27/082;H01L27/115;H01L27/04;H01L23/60;H01L21/00;H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;李家麟 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,其特征在于,對晶片中的各芯片在修整用的被描繪圖案形成區形成具有規定深度的槽部,上述槽部的側壁以具有5°以上的傾斜角來展寬開口側的方式傾斜,在上述槽部的內部形成導電性布線。
2.權利要求1記載的半導體裝置,其特征在于,被描繪圖案形成區形成的槽部在形成于晶片面上的凸狀區域內形成。
3.一種半導體裝置,其特征在于,在晶片狀態下,在各芯片面上形成從鈍化膜露出的至少2個修整用焊盤電極,根據要不要修整的檢查結果,利用印刷處理對上述修整用焊盤電極形成描繪圖案。
4.權利要求3記載的半導體裝置,其特征在于,在分別連接描繪圖案被印刷處理的至少2個修整用焊盤電極的區域之外形成鈍化膜。
5.權利要求4記載的半導體裝置,其特征在于,在距離描繪圖案被印刷處理的至少2個修整用焊盤電極具有規定距離的區域之外形成鈍化膜。
6.權利要求4記載的半導體裝置,其特征在于,在將描繪圖案被印刷處理的至少2個修整用焊盤電極包圍的位置上形成槽。
7.權利要求4記載的半導體裝置,其特征在于,在將描繪圖案被印刷處理的至少2個修整用焊盤電極包圍的位置上形成凸起。
8.權利要求4記載的半導體裝置,其特征在于,在描繪圖案被印刷處理的至少2個修整用焊盤電極之間形成槽。
9.一種半導體裝置,其特征在于,該半導體裝置是具有多個單元并設置了在與各單元對應的位置上形成走線用焊盤電極的走線布線的I?GBT芯片,各單元具有連接于第1電極上的第1焊盤電極和連接于第2電極上的第2焊盤電極,根據各單元的檢查結果,利用印刷處理在上述第1電極與上述走線用焊盤電極或上述第2電極之間形成描繪圖案。
10.一種半導體裝置,其特征在于,該半導體裝置是非易失性存儲器,利用印刷處理形成接地的靜電屏蔽膜體使其將存儲器區覆蓋,并進行模塑加工,將上述靜電屏蔽膜體覆蓋。
11.一種半導體裝置,是將功率用半導體裝置和邏輯電路集成在一塊芯片上的功率用集成電路裝置,其特征在于,利用描繪圖案的印刷處理在鈍化膜上形成導電性布線,該導電性布線是對在高電位島分離區內部形成的邏輯電路和耐高壓開關元件進行電連接的電平移動布線。
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