[發(fā)明專利]融合式存儲器器件及系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010112223.9 | 申請日： | 2010-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN101930797A | 公開（公告）日： | 2010-12-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李世昊 | 申請（專利權(quán)）人： | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/06 | 分類號： | G11C16/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜誠;李春暉 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 融合 存儲器 器件 系統(tǒng) | ||
1.一種融合式存儲器器件，包括：
芯片上的第一相變存儲器組；以及
與所述第一相變存儲器組設(shè)置在同一芯片上的第二相變存儲器組，在相變操作過程中，所述第二相變存儲器組具有與所述第一相變存儲器組的電阻分布不同的電阻分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的融合式存儲器器件，其中，所述第一相變存儲器組是快擦寫存儲器器件的代替器件，且所述第二相變存儲器器件是動態(tài)隨機存取存儲器的代替器件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的融合式存儲器器件，其中，所述第一相變存儲器組具有第一感測比，且所述第二相變存儲器組具有小于所述第一感測比的第二感測比。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的融合式存儲器器件，其中，所述第一相變存儲器組被配置為通過使用以約100ns到300ns之間的第一間隔形成脈沖的第一設(shè)定電壓和第一復位電壓寫入對應(yīng)于二進制“0”和“1”的數(shù)據(jù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的融合式存儲器器件，其中，所述第二相變存儲器組被配置為通過使用以小于所述第一間隔的第二間隔形成脈沖的第二設(shè)定電壓和第二復位電壓寫入對應(yīng)于二進制“0”和“1”的數(shù)據(jù)，所述第二復位電壓具有低于所述第一復位電壓的電壓水平。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的融合式存儲器器件，其中，所述第一相變存儲器組包括第一組多個相變存儲器單元，所述第一組多個相變存儲器單元被編程使得所述第一組多個相變存儲器單元的每一個中的相變材料層能夠在每個固態(tài)相之間基本完全地轉(zhuǎn)變。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的融合式存儲器器件，其中，所述第二相變存儲器組包括第二組多個相變存儲器單元，所述第二組多個相變存儲器單元被編程使得所述第二組多個相變存儲器單元的每一個中的相變材料層能夠在每個固態(tài)相之間部分地轉(zhuǎn)變。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的融合式存儲器器件，其中，所述第二相變存儲器組中的相變存儲器單元中的每一個小于所述第一相變存儲器組中的相變存儲器單元中的每一個。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的融合式存儲器器件，其中，所述第一相變存儲器組和所述第二相變存儲器組中的多個相變存儲器單元中的每一個包括單獨的相應(yīng)開關(guān)元件、單獨的相應(yīng)加熱電極以及單獨的相應(yīng)相變材料層；并且
其中所述第二相變存儲器組中的相變存儲器單元中的每一個的相變材料層小于所述第一相變存儲器組中的相變存儲器單元中的每一個的相變材料層。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的融合式存儲器器件，其中，所述第一相變存儲器組和所述第二相變存儲器組中的多個相變存儲器單元中的每一個包括：按順序堆疊在一起的單獨的相應(yīng)加熱電極、單獨的相應(yīng)相變材料層以及單獨的相應(yīng)上電極；并且
其中所述第一相變存儲器組的每個相變存儲器單元、所述單獨的相應(yīng)相變材料層和所述單獨的相應(yīng)上電極被配置為具有基本相同的圖案大小，并被配置為大于它們各自的單獨的相應(yīng)加熱電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的融合式存儲器器件，其中，所述第二相變存儲器組的相變存儲器單元中的每一個中的單獨的相應(yīng)相變材料層具有直徑與各自的單獨的相應(yīng)加熱電極的直徑基本相同的接觸形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的融合式存儲器器件，其中，所述第二相變存儲器組的相變存儲器單元中的每一個中的單獨的相應(yīng)上電極具有基本大于各自的單獨的相應(yīng)相變材料層的圖案形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的融合式存儲器器件，其中，所述融合式存儲器器件包括多個存儲器存儲體，使得所述存儲器存儲體的第一部分包括所述第一相變存儲器組，并且所述存儲器存儲體的其余部分包括所述第二相變存儲器組。
14.一種融合式存儲器器件，包括：
第一相變存儲器組，包括多個第一相變存儲器單元，每個第一相變存儲器單元具有第一設(shè)定電阻和第一復位電阻；以及
與所述第一相變存儲器組集成在單個襯底上的第二相變存儲器組，所述第二相變存儲器組包括多個第二相變存儲器單元，每個第二相變存儲器單元具有第二設(shè)定電阻和第二復位電阻，
其中所述第二復位電阻小于所述第一復位電阻。
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