[發明專利]具有電磁干擾保護的電子模塊有效
| 申請號: | 201010112222.4 | 申請日: | 2010-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN101800216A | 公開(公告)日: | 2010-08-11 |
| 發明(設計)人: | 里斯托·圖奧米寧 | 申請(專利權)人: | 伊姆貝拉電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L23/552;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;許向華 |
| 地址: | 芬蘭*** | 國省代碼: | 芬蘭;FI |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 電磁 干擾 保護 電子 模塊 | ||
1.一種電子模塊,包括:
部件(1),其具有接觸端子(2),其中所述部件(1)是裸芯片,
第一布線層(3),其包括第一傳導線(4),
電介質(5),其位于所述部件(1)和所述第一布線層(3)之間和所述部件(1)周圍,以便于所述部件(1)嵌入在所述電介質(5)中,
接觸元件(6),其提供至少一些所述接觸端子(2)和至少一些所述第一傳導線(4)之間的電連接,
第二布線層(7),其位于所述電介質(5)內部并且包括第一傳導圖形,以便于所述第一傳導圖形的第一部分被安置在所述部件(1)和所述第一布線層(3)之間且被配置成連接到地電勢,第二部分包括用于傳導電信號的第二傳導線;以及
第二接觸元件,提供所述至少一些所述第一傳導線和所述第二傳導線之間的電連接。
2.如權利要求1所述的電子模塊,其中所述部件是包括微電子器件的微芯片(1),并且部分第一傳導圖形(8)被安置在所述微電子器件和所述第一布線層(3)中的所述第一傳導線(4)的至少一個之間。
3.如權利要求1或2所述的電子模塊,包括第三布線層(10),以便于部件(1)被包圍在第二和第三布線層(7、10)之間,所述第三布線層(10)包括第二傳導圖形(11)。
4.如權利要求3所述的電子模塊,包括垂直導體(12),所述垂直導體(12)連接所述第二傳導圖形(11)和所述第一傳導圖形(8),由此形成所述部件(1)周圍的抵御電磁干擾的屏蔽。
5.如權利要求1或2所述的電子模塊,其中所述電介質(5)包括至少兩個電介質材料層。
6.如權利要求1或2所述的電子模塊,其中所述電介質(5)包圍作為嵌入電路結構的所述部件(1)、所述傳導線(4)、所述接觸元件(6)和所述第一傳導圖形(8)。
7.如權利要求1或2所述的電子模塊,其中所述第一傳導圖形(8)限定至少一個開口(9),并且所述接觸元件(6)穿過所述至少一個開口(9)。
8.如權利要求7所述的電子模塊,其中所述至少一個開口(9)包括關于每個接觸元件(6)的單獨的開口。
9.如權利要求7所述的電子模塊,其中至少兩個接觸元件(6)穿過公共開口(9)。
10.如權利要求7所述的電子模塊,其中
對于每個開口(9),所述第一傳導圖形(8)包括限定所述開口(9)的周界表面,
每個接觸元件(6)包括面對相應的周界表面的外表面,并且
存在每個周界表面和相應的外表面之間的間距,所述間距小于100微米。
11.如權利要求10所述的電子模塊,其中所述間距是5至50微米。
12.如權利要求1或2所述的電子模塊,使所述部件(1)和所述第二布線層(7)中的所述第一傳導圖形(8)之間的間距小于30微米。
13.如權利要求12所述的電子模塊,所述間距是5至20微米。
14.如權利要求1或2所述的電子模塊,其中每個接觸元件(6)具有從各自的接觸端子(2)到各自的傳導線(4)的高度,所述高度小于70微米。
15.如權利要求14所述的電子模塊,所述高度是10至30微米。
16.如權利要求1或2所述的電子模塊,其中每個接觸元件(6)具有在平行于部件(1)的表面和各自的接觸端子(2)的方向上的最大寬度,所述寬度小于50微米。
17.如權利要求16所述的電子模塊,所述寬度是20至40微米。
18.如權利要求1或2所述的電子模塊,其中
第一和第二布線層(3、7)是平面的和平行的;并且
所述接觸元件(6)在垂直于平面的第一和第二布線層(3、7)的方向上從所述接觸端子(2)筆直延伸到各自的傳導線(4)。
19.如權利要求1或2所述的電子模塊,其中所述部件(1)是微電路并且所述接觸端子(2)是在所述微電路的表面上的接觸盤上制造的接觸凸點。
20.如權利要求1或2所述的電子模塊,其中所述部件(1)是無凸點微電路并且所述接觸端子(2)是所述微電路的表面上的接觸盤。
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