[發明專利]淺溝槽隔離結構形成方法

有效

• 申請號: 201010111178.5
• 申請日: 2010-02-10
• 公開（公告）號: CN102148181A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 張瑛;林偉銘
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種淺溝槽隔離結構形成方法，其特征在于，包括：

提供依次形成有襯墊氧化層和刻蝕停止層的襯底；

依次刻蝕所述襯墊氧化層、刻蝕停止層和襯底，形成淺溝槽；

形成覆蓋刻蝕停止層表面且填充滿淺溝槽的隔離介質層；

采用反刻掩膜版在所述隔離介質層表面形成第一光刻膠圖形，所述第一光刻膠圖形與所述淺溝槽位置對應；

以所述第一光刻膠圖形為掩膜，刻蝕部分厚度隔離介質層；

去除所述第一光刻膠圖形后，采用化學機械拋光工藝去除所述隔離介質層直至暴露出刻蝕停止層；

去除所述刻蝕停止層和襯墊氧化層；

在所述襯底表面以及淺溝槽內的隔離介質層表面形成保護薄膜；

采用所述反刻掩膜版在所述保護薄膜表面形成第二光刻膠圖形，所述第二光刻膠圖形與所述淺溝槽位置對應；

以所述第二光刻膠圖形為掩膜，去除保護薄膜至露出襯底，形成保護層。

2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構形成方法，其特征在于，所述保護薄膜材料為氧化硅。

3.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構形成方法，其特征在于，所述保護薄膜厚度為150埃至300埃。

4.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構形成方法，其特征在于，所述保護薄膜的形成步驟包括：采用高溫化學氣相沉積工藝形成保護薄膜；對所述保護薄膜進行快速退火。

5.如權利要求4所述的淺溝槽隔離結構形成方法，其特征在于，所述高溫化學氣相沉積工藝的反應溫度為750攝氏度至900攝氏度。

6.如權利要求4所述的淺溝槽隔離結構形成方法，其特征在于，所述快速退火工藝退火溫度為500攝氏度至700攝氏度。

7.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構形成方法，其特征在于，所述保護層寬度大于淺溝槽開口寬度1微米至2微米。

8.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構形成方法，其特征在于，所述隔離介質層材料為氧化硅。