[發明專利]接觸孔形成方法

有效

• 申請號: 201010111143.1
• 申請日: 2010-02-10
• 公開（公告）號: CN102148191A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 楊昌輝;奚裴;肖海波
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種接觸孔形成方法，其特征在于，包括步驟：

提供半導體結構，其包括襯底；位于襯底中及襯底上的MOS器件；覆蓋MOS器件和襯底的層間介質層，所述層間介質層包括氧化物層和位于所述氧化物層上的氮化物層；

對所述層間介質層進行刻蝕，刻蝕停止在襯底表面，在所述層間介質層中形成通孔，所述刻蝕的同時在通孔內形成刻蝕聚合物；

對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕，使所述通孔延伸至襯底內；

用酸性溶液清洗，去除所述通孔內剩余的刻蝕聚合物，形成接觸孔。

2.根據權利要求1所述的接觸孔形成方法，其特征在于，對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中，刻蝕氣體為NF3或者NF3和惰性氣體的混合氣體。

3.根據權利要求2所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述氮化物層的材料為氮化硅，所述氧化物層的材料為PSG。

4.根據權利要求3所述的接觸孔形成方法，其特征在于，對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中NF3的流量為4sccm至8sccm，腔室壓強為20mt至30mt，射頻功率為40w至60w，電極溫度為60攝氏度，時間為15s至20s。

5.根據權利要求1所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述酸溶液為：HF溶液。

6.根據權利要求5所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述HF溶液濃度小于或等于500ppm，清洗時間為101s至130s。

7.一種接觸孔形成方法，其特征在于，包括步驟：

提供半導體結構，其包括襯底；位于襯底上的導電層；覆蓋所述導電層的層間介質層，所述層間介質層包括氧化物層和位于所述氧化物層上的氮化物層；

對所述層間介質層進行刻蝕，刻蝕停止在襯底表面，在所述層間介質層中形成通孔，所述刻蝕的同時在通孔內形成刻蝕聚合物；

對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕，使所述通孔延伸至襯底內；

用酸性溶液清洗，去除所述通孔內剩余的刻蝕聚合物，形成接觸孔。

8.根據權利要求7所述的接觸孔形成方法，其特征在于，對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中刻蝕氣體為NF3或NF3和惰性氣體的混合氣體。

9.根據權利要求8所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述氮化層的材料為氮化硅，所述氧化物層的材料為PSG。

10.根據權利要求11所述的接觸孔形成方法，其特征在于，對所述刻蝕聚合物和所述通孔暴露的襯底進行干法刻蝕步驟中NF3的流量為4sccm至8sccm，腔室壓強為20mt至30mt，射頻功率為40w至60w，電極溫度為60攝氏度，時間為15s至20s。

11.根據權利要求7所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述酸溶液為：HF溶液。

12.根據權利要求11所述的接觸孔形成方法，其特征在于，所述HF溶液濃度小于或等于500ppm，清洗時間在101s至130s。