[發(fā)明專利]隔離區(qū)域注入和結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010110323.8
• 申請日: 2010-02-02
• 公開（公告）號: CN101877316A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖洺漢;李資良
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78
• 代理公司: 北京市德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 梁永

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

設(shè)置襯底；

在所述襯底上方形成圖樣化掩模，所述圖樣化掩模露出所述襯底的一部分；

去除所述襯底的一部分以形成溝槽；

去除所述圖樣化掩模與所述溝槽相鄰的部分，以形成所述襯底的露出表面；

將具有第一導(dǎo)電率的第一摻雜物注入到所述襯底中；

在注入所述第一摻雜物之后去除所述圖樣化掩模；以及

用介電材料填充所述溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述掩模層是氮化硅，將所述第一摻雜物注入到所述襯底中包括：以非垂直的角度將摻雜物注入所述襯底，所述角度在約30°與約50°之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：形成柵極介電層、柵電極、隔離物和源極/漏極區(qū)，所述柵極介電層、所述源極/漏極區(qū)和所述介電材料限定具有小于約1μm的柵極寬度的晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述源極/漏極區(qū)包括具有不同于所述第一導(dǎo)電率的第二導(dǎo)電率的第二摻雜物。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述源極/漏極區(qū)包括所述第一摻雜物。

6.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

設(shè)置包括頂面的襯底；

在所述襯底中形成溝槽，其中，形成所述溝槽包括：

在所述襯底上方形成掩模層；

形成穿過所述掩模層的開口；以及

通過所述開口去除所述襯底的一部分；

在形成所述溝槽之后，延伸穿過所述掩模層的所述開口以形成所述襯底的所述頂面的露出部分；以及

在去除所述掩模層之前，將具有第一導(dǎo)電率的第一摻雜物注入到所述襯底中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括：

在所述襯底上方形成柵極介電層；

在所述柵極介電層上方形成柵電極；

在所述柵極介電層和所述柵電極的側(cè)壁上形成隔離區(qū)；以及

在所述襯底內(nèi)與所述柵極介電層的相對側(cè)上形成源極/漏極區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述源極/漏極區(qū)包括具有不同于所述第一導(dǎo)電率的第二導(dǎo)電率的第二摻雜物。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述源極/漏極區(qū)包括具有第一導(dǎo)電率的第二摻雜物。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，至少部分地通過以非垂直角度注入所述襯底來執(zhí)行所述第一摻雜物的注入。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括：

用介電材料填充所述開口；以及

去除所述開口外的多余介電材料。

12.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，具有頂面；

第一隔離區(qū)域，在所述襯底內(nèi)；

第一摻雜區(qū)域，與所述隔離區(qū)域相鄰，所述第一摻雜區(qū)域包括具有第一導(dǎo)電率和第一濃度的第一摻雜物；

第一溝道區(qū)域，位于所述襯底內(nèi)，所述第一溝道區(qū)域與所述第一隔離區(qū)域分離；

第二摻雜區(qū)域，在所述第一摻雜區(qū)域和所述第一溝道區(qū)域之間，所述第二摻雜區(qū)域包括具有第二導(dǎo)電率和小于所述第一濃度的第二濃度的第二摻雜物；以及

第三摻雜區(qū)域，與所述第二摻雜區(qū)域和所述第一溝道區(qū)域相鄰。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)電率與所述第二導(dǎo)電率相同。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)電率與所述第二導(dǎo)電率不同，所述第一摻雜區(qū)域是具有第一閾值電壓的第一晶體管的一部分。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，還包括第二晶體管，所述第二晶體管包括：

第二隔離區(qū)域；

第二溝道區(qū)域；

第三摻雜區(qū)域，與所述第二隔離區(qū)域相鄰，所述第三摻雜區(qū)域包括第三導(dǎo)電率和第三濃度；以及

第四摻雜區(qū)域，在所述溝道區(qū)域和所述第三摻雜區(qū)域之間，所述第四摻雜區(qū)域包括第四導(dǎo)電率和不同于所述第三濃度的第四濃度，所述第一晶體管包括第一閾值電壓，所述第二晶體管包括不同于所述第一閾值電壓的第二閾值電壓。