[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片及其制造方法、堆疊模塊和存儲(chǔ)卡

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010108463.1
• 申請(qǐng)日: 2010-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN101937892A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李鎬珍;張東鉉;李仁榮;尹玟升;黃善寬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/482
• 分類號(hào): H01L23/482;H01L25/00;H01L21/60;G11C7/10
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;薛義丹

本申請(qǐng)要求于2009年6月29日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2009-0058315號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的公開通過引用被完全包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的總體構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體裝置，更具體地講，涉及一種半導(dǎo)體芯片、制造該半導(dǎo)體芯片的方法、包括該半導(dǎo)體芯片的堆疊模塊、包括該半導(dǎo)體芯片的存儲(chǔ)卡和包括該半導(dǎo)體芯片的電子系統(tǒng)。

背景技術(shù)

隨著對(duì)具有高集成度的半導(dǎo)體芯片的需求的增長(zhǎng)，半導(dǎo)體芯片的制造成本顯著增加。因此，難以增加單個(gè)半導(dǎo)體芯片的容量。然而，可以通過堆疊半導(dǎo)體芯片形成的堆疊模塊來實(shí)現(xiàn)容量的增加。在堆疊模塊中，可以利用通孔電極(via?electrode)來連接半導(dǎo)體芯片。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的總體構(gòu)思提供了一種半導(dǎo)體芯片、制造該半導(dǎo)體芯片的方法、包括該半導(dǎo)體芯片的堆疊模塊和存儲(chǔ)卡。半導(dǎo)體芯片可以包括至少一個(gè)通孔，所述至少一個(gè)通孔包括在從基底的第一表面向著基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及連接到第一部分并且具有錐形形狀的第二部分。還可以提供填充所述至少一個(gè)通孔的至少一個(gè)通孔電極。

本發(fā)明總體構(gòu)思的其它方面和用途將在下面的描述中部分地提到，并且部分地將通過描述而變得清楚，或者可以通過本發(fā)明總體構(gòu)思的實(shí)踐而獲知。

通過提供一種半導(dǎo)體芯片可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明總體構(gòu)思的前面和/或其它方面以及用途，所述半導(dǎo)體芯片包括：基底，包括第一表面和面對(duì)第一表面的第二表面；至少一個(gè)通孔，包括沿著從基底的第一表面向基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及連接到第一部分并且具有錐形形狀的第二部分；至少一個(gè)通孔電極，填充所述至少一個(gè)通孔。

所述至少一個(gè)通孔可以垂直于基底的第一表面和第二表面延伸。另外，所述至少一個(gè)通孔的第一部分可以具有齒形形狀的內(nèi)表面。

所述至少一個(gè)通孔電極可以包括分別與所述至少一個(gè)通孔的第一部分和第二部分對(duì)應(yīng)的第一填充部分和第二填充部分，第一填充部分具有齒形形狀的外周。

所述至少一個(gè)通孔電極還可以包括位于基底上并且連接到第一填充部分的突出部分。所述突出部分可以在基底的第一表面上突出。

所述半導(dǎo)體芯片還可以包括位于基底的第一表面上的絕緣層，其中，所述至少一個(gè)通孔還包括連接到第一部分并且延伸穿過絕緣層的第三部分。此外，所述至少一個(gè)通孔的第二部分和第三部分可以具有平滑的內(nèi)表面，第一部分可以具有齒形形狀的內(nèi)表面。

所述半導(dǎo)體芯片還可以包括位于絕緣層上的至少一個(gè)電極焊盤，其中，所述至少一個(gè)通孔電極延伸穿過所述至少一個(gè)電極焊盤。所述至少一個(gè)通孔電極可以接觸所述至少一個(gè)電極焊盤的頂表面。

分隔絕緣層可以位于基底和至少一個(gè)通孔電極之間。

所述至少一個(gè)通孔電極可以垂直穿過基底。

所述至少一個(gè)通孔電極可以從基底的第二表面突出。

通過提供一種堆疊模塊可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明總體構(gòu)思的前面和/其它方面以及用途，所述堆疊模塊包括堆疊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，其中，每個(gè)半導(dǎo)體芯片包括：基底，包括第一表面和面對(duì)第一表面的第二表面；至少一個(gè)通孔，包括沿著從基底的第一表面向基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及連接到第一部分并且具有錐形形狀的第二部分；至少一個(gè)通孔電極，填充所述至少一個(gè)通孔，每個(gè)半導(dǎo)體芯片的所述至少一個(gè)通孔電極連接到相鄰半導(dǎo)體芯片的至少一個(gè)通孔電極。

每個(gè)半導(dǎo)體芯片還可以包括設(shè)置在基底的第一表面上的至少一個(gè)電極焊盤，所述至少一個(gè)通孔電極可以延伸穿過所述至少一個(gè)電極焊盤。

每個(gè)半導(dǎo)體芯片還可以包括設(shè)置在所述至少一個(gè)通孔電極上的凸點(diǎn)層，每個(gè)半導(dǎo)體芯片的所述至少一個(gè)通孔電極可以延伸穿過位于所述半導(dǎo)體芯片下方的相鄰半導(dǎo)體芯片的凸點(diǎn)層。

通過提供一種卡設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明總體構(gòu)思的前面和/或其它方面以及用途，所述卡設(shè)備包括：殼；存儲(chǔ)單元，位于殼中；控制器單元，位于殼中，并且被構(gòu)造為控制存儲(chǔ)單元，其中，所述存儲(chǔ)單元包括：基底，包括第一表面和面對(duì)第一表面的第二表面；至少一個(gè)通孔，包括沿著從基底的第一表面向基底的第二表面延伸的第一部分和連接到第一部分并且具有錐形形狀的第二部分，所述至少一個(gè)通孔隨著與第一部分遠(yuǎn)離而變細(xì)；至少一個(gè)通孔電極，填充所述至少一個(gè)通孔。