[發明專利]半導體芯片及其制造方法、堆疊模塊和存儲卡

有效

• 申請號: 201010108463.1
• 申請日: 2010-01-29
• 公開（公告）號: CN101937892A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 李鎬珍;張東鉉;李仁榮;尹玟升;黃善寬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L25/00;H01L21/60;G11C7/10
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;薛義丹

1.一種半導體芯片，所述半導體芯片包括：

基底，包括第一表面和面對第一表面的第二表面；

至少一個通孔，包括沿著從基底的第一表面向基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及連接到第一部分并且具有錐形形狀的第二部分；

至少一個通孔電極，填充所述至少一個通孔。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，所述至少一個通孔垂直于基底的第一表面和第二表面延伸。

3.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，所述至少一個通孔的第一部分具有齒形形狀的內表面。

4.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，所述至少一個通孔電極包括分別與所述至少一個通孔的第一部分和第二部分對應的第一填充部分和第二填充部分，第一填充部分具有齒形形狀的外周。

5.根據權利要求4所述的半導體芯片，其中，所述至少一個通孔電極還包括位于基底上并且連接到第一填充部分的突出部分。

6.根據權利要求5所述的半導體芯片，其中，所述突出部分在基底的第一表面上突出。

7.根據權利要求1所述的半導體芯片，還包括位于基底的第一表面上的絕緣層，

其中，所述至少一個通孔還包括連接到第一部分并且延伸穿過絕緣層的第三部分。

8.根據權利要求7所述的半導體芯片，其中，所述至少一個通孔的第二部分和第三部分具有平滑的內表面，第一部分具有齒形形狀的內表面。

9.根據權利要求7所述的半導體芯片，還包括位于絕緣層上的至少一個電極焊盤，

其中，所述至少一個通孔電極延伸穿過所述至少一個電極焊盤。

10.根據權利要求9所述的半導體芯片，其中，所述至少一個通孔電極接觸所述至少一個電極焊盤的頂表面。

11.根據權利要求1所述的半導體芯片，還包括位于基底和所述至少一個通孔電極之間的分隔絕緣層。

12.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中，所述至少一個通孔電極垂直穿過基底。

13.根據權利要求9所述的半導體芯片，其中，所述至少一個通孔電極從基底的第二表面突出。

14.一種堆疊模塊，所述堆疊模塊包括堆疊的多個半導體芯片，其中，每個半導體芯片包括：

基底，包括第一表面和面對第一表面的第二表面；

至少一個通孔，包括沿著從基底的第一表面向基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及連接到第一部分并且具有錐形形狀的第二部分；

至少一個通孔電極，填充所述至少一個通孔，

每個半導體芯片的所述至少一個通孔電極連接到相鄰半導體芯片的至少一個通孔電極。

15.根據權利要求14所述的堆疊模塊，其中，每個半導體芯片還包括設置在基底的第一表面上的至少一個電極焊盤，

所述至少一個通孔電極延伸穿過所述至少一個電極焊盤。

16.根據權利要求14所述的堆疊模塊，其中，每個半導體芯片還包括設置在所述至少一個通孔電極上的凸點層，

每個半導體芯片的所述至少一個通孔電極延伸穿過位于所述半導體芯片下方的相鄰半導體芯片的凸點層。

17.一種卡設備，所述卡設備包括：

殼；

存儲單元，位于殼中；

控制器單元，位于殼中，并且被構造為控制存儲單元，

其中，所述存儲單元包括：

基底，包括第一表面和面對第一表面的第二表面；

至少一個通孔，包括沿著從基底的第一表面向基底的第二表面延伸的第一部分和連接到第一部分并且具有錐形形狀的第二部分，所述至少一個通孔隨著與第一部分遠離而變細；

至少一個通孔電極，填充所述至少一個通孔。

18.一種制造半導體芯片的方法，所述方法包括以下步驟：

形成沿著從基底的第一表面向基底的第二表面的方向延伸的至少一個通孔；

形成填充所述至少一個通孔的至少一個通孔電極，

其中，形成所述至少一個通孔電極的步驟包括以下步驟：

形成從基底的第一表面延伸到基底中的第一部分；

形成從第一部分向基底的第二表面延伸并且具有錐形形狀的第二部分。