[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010108017.0
• 申請(qǐng)日: 2010-01-28
• 公開（公告）號(hào): CN101834148A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 能木孝男;木谷智之;東條啟;菅謙太郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L21/50
• 分類號(hào): H01L21/50;H01L21/60;H01L23/482
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 金春實(shí)

(相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)基于并要求以2009年3月11日提交的在先日本專利申請(qǐng)2009-58708為優(yōu)先權(quán)，在此引入其全部內(nèi)容作為參考。)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有技術(shù)中，已有在Cu襯底上安裝源絲線鍵合(wire?bonding)用的金屬塊(block)而制造半導(dǎo)體封裝的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

但是，在專利文獻(xiàn)1中公開的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)，由于必須有鍵合絲線，所以存在半導(dǎo)體裝置整體上大型化，且制造工時(shí)多、成本高的問題。

另外，在現(xiàn)有技術(shù)中，已有如下半導(dǎo)體裝置，即，該半導(dǎo)體裝置具有：在第一主面上配置引出了絲線的凸塊(bump)、在與上述第一主面相反側(cè)的面上經(jīng)由第一導(dǎo)電物與第一金屬電極相接、用絕緣物覆蓋外側(cè)面的半導(dǎo)體元件，并且從上述凸塊引出的絲線經(jīng)由第二導(dǎo)電物與第二金屬電極連接(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。

但是，在專利文獻(xiàn)2中公開的半導(dǎo)體裝置，半導(dǎo)體元件未配置在半導(dǎo)體裝置的中央部，而是配置在第一金屬電極側(cè)。由此，存在在移動(dòng)半導(dǎo)體裝置時(shí)半導(dǎo)體元件受到的沖擊大的問題。而且，上述導(dǎo)電物由導(dǎo)電性樹脂或高熔點(diǎn)焊料等構(gòu)成，上述金屬電極由Al、Cu、Au或包含它們的合金等構(gòu)成，所以存在半導(dǎo)體裝置整體上大型化，且成本高的問題。

<專利文獻(xiàn)1>日本特開平5-347324號(hào)公報(bào)

<專利文獻(xiàn)2>日本特開2000-252235號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體元件具有：相互對(duì)置的第一面和第二面、和在上述第一面上設(shè)置的電極；第一外部電極，該第一外部電極，與上述半導(dǎo)體元件的上述第一面相對(duì)置，具有：與上述第一面大致平行的第一主面、與上述第一主面大致垂直的第一側(cè)面、和向與上述第一主面垂直的方向突出且與在上述半導(dǎo)體元件的上述第一面上設(shè)置的電極連接的凸部；第二外部電極，該第二外部電極，與上述半導(dǎo)體元件的上述第二面相對(duì)置，具有：與上述第二面大致平行的第二主面、與上述第二主面大致垂直的第二側(cè)面、和作為上述第二主面的相反側(cè)的面且大小與上述第二主面實(shí)質(zhì)上相同的相反面；以及絕緣體，覆蓋上述半導(dǎo)體元件和上述第一外部電極的上述凸部；且把上述第一側(cè)面和上述第二側(cè)面作為安裝面，上述半導(dǎo)體元件配置在上述第一外部電極與上述第二外部電極之間，該制造方法的特征在于包括：在上述第一面的上述電極的每一個(gè)上，形成由導(dǎo)電體構(gòu)成的上述凸部的工序，上述第一面的上述電極設(shè)置在形成于半導(dǎo)體晶片上的多個(gè)上述半導(dǎo)體元件的上述半導(dǎo)體晶片的表面?zhèn)龋?!-- SIPO -->在上述表面的上述多個(gè)半導(dǎo)體元件相互間形成溝的工序；向上述凸部相互間的間隙和上述溝中填充絕緣體而形成密封部的工序；研磨上述半導(dǎo)體晶片的與上述表面相對(duì)置的背面直到露出上述密封部，針對(duì)各上述半導(dǎo)體元件把上述半導(dǎo)體晶片分離的工序；在上述凸部的每一個(gè)上形成由導(dǎo)電體構(gòu)成且成為上述第一外部電極的一部分的第一引線的工序；在上述多個(gè)半導(dǎo)體元件的上述背面上，直接形成作為成為上述第二外部電極的第二引線的導(dǎo)電材料層，形成上述第二引線的工序；以及在上述多個(gè)半導(dǎo)體元件相互間切斷上述密封部，把上述多個(gè)半導(dǎo)體元件相互分離的工序。