[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201010106921.8
• 申請日: 2010-01-22
• 公開（公告）號: CN101794792A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 黑田英明
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84;H01L29/78;H01L29/08;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種半導體器件，包括：

擴散層，形成在基板的前表面處；

低阻抗部，形成在所述擴散層的前表面處，并具有低于所述擴散層的阻抗；以及

后接觸電極，從所述基板的后表面貫穿所述基板以穿過所述擴散層連接到所述低阻抗部。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

至少一半導體區域，形成在所述基板的前表面處，

其中柵極電極隔著柵極絕緣膜形成在所述半導體區域上，并且

所述擴散層形成在所述柵極電極兩側的所述半導體區域中。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中所述基板具有絕緣層和形成在所述絕緣層上的所述半導體區域，并且

具有隔著所述柵極絕緣膜形成在所述半導體區域上的所述柵極電極以及由在所述柵極電極兩側的所述半導體區域中的所述擴散層形成的源極區域和漏極區域的晶體管是完全耗盡型晶體管。

4.根據權利要求1到3中任一項所述的半導體器件，

其中所述低阻抗部由硅化物層構成。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，還包括：

硅化物層，形成在所述柵極電極的前表面處，

其中所述后接觸電極連接到形成在所述擴散層中的一個擴散層處的所述硅化物層以及形成在所述柵極電極處的所述硅化物層。

6.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中絕緣膜隔著空間形成在所述柵極電極的側方。

7.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中側壁部形成在所述柵極電極的側壁處，并且

所述側壁部由具有低于硅氧化物的介電常數的低介電常數膜構成。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述低阻抗部由電極構成。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中存儲元件連接到所述后接觸電極。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，

其中所述存儲元件由電容器構成。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，

其中所述存儲元件由阻變存儲元件構成。

12.根據權利要求9所述的半導體器件，

其中所述存儲元件由磁阻存儲元件構成。

13.根據權利要求9所述的半導體器件，

其中所述存儲元件由鐵電存儲元件構成。

14.一種半導體器件的制造方法，所述方法包括步驟：

隔著柵極絕緣膜在SOI基板的硅層上形成柵極電極以及在所述柵極電極兩側的所述硅層中形成擴散層，從而形成晶體管，其中在所述SOI基板中所述硅層隔著絕緣層形成在第一支撐基板上；

在所述擴散層的前表面處形成阻抗低于所述擴散層的低阻抗部；

隔著覆蓋所述晶體管的絕緣膜在所述硅層上形成第二支撐基板以及去除所述第一支撐基板和所述絕緣層；以及

在所述硅層上形成層間絕緣層以及在所述層間絕緣層和所述硅層中形成后接觸電極以連接到所述低阻抗部。

15.根據權利要求14所述的方法，

其中所述低阻抗部由硅化物層形成。

16.根據權利要求15所述的方法，

其中當所述低阻抗部由硅化物層形成時，在所述柵極電極的前表面處也形成硅化物層，并且

所述后接觸電極連接到形成在所述擴散層中的一個擴散層處的硅化物層以及形成在所述柵極電極處的硅化物層。

17.根據權利要求14所述的方法，還包括步驟：

在形成所述柵極電極之后且在形成所述擴散層之前，在所述柵極電極的側壁處形成側壁部；

形成第一絕緣膜以覆蓋所述柵極電極和所述側壁部；

暴露所述側壁部的上部；

去除所述側壁部以在所述柵極電極與所述第一絕緣膜之間形成空間；以及

在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜并保留所述空間，從而所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜形成所述絕緣膜。

18.根據權利要求17所述的方法，還包括步驟：

在所述空間中填充低介電常數膜，所述低介電常數膜具有低于硅氧化物的介電常數。

19.根據權利要求14所述的方法，

其中所述低阻抗部由電極構成。