[發明專利]由含銅溶液制備氧化銅的方法無效
| 申請號: | 201010106308.6 | 申請日: | 2010-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN102134090A | 公開(公告)日: | 2011-07-27 |
| 發明(設計)人: | 江德馨 | 申請(專利權)人: | 聯鼎電子科技有限公司 |
| 主分類號: | C01G3/02 | 分類號: | C01G3/02 |
| 代理公司: | 北京市中聯創和知識產權代理有限公司 11364 | 代理人: | 高龍鑫 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溶液 制備 氧化銅 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種由含銅溶液制備氧化銅的方法,特別涉及一種由從電路板制備過程中蝕刻廢液及微蝕刻廢液來制備氧化銅的方法。
背景技術
在印刷電路板制備過程中,會產生許多含銅溶液,比如各種蝕刻制備過程制備的蝕刻廢液。若能將此含銅溶液進行回收及將銅或銅化物還原出來加以利用,除可大量節省成本外,還可減少對環境的污染。
一種現有技術是利用溶液在不同pH值下,會產生金屬離子化合物沉淀的原理。舉例來說,鎘離子(Cd2+)在溶液的pH值為9.8以上、鉻離子(Cr3+)在溶液的pH值為6.5至9.2之間、鎳離子(Ni2+)在溶液的pH值為9.3以上、鋅離子(Zn2+)在溶液的pH值為8.3至10.5、鐵離子(Fe3+)在溶液的pH值為3.5以上、亞鐵離子(Fe2+)在溶液的pH值為9.0以上、鉛離子(Pb2+)在溶液的pH值為9.5以上、鋁離子(Al3+)在溶液的pH值為5.8至8.6時會產生各自的金屬化合物沉淀。
其中銅離子(Cu2+)在pH值為7.5時,可產生堿式氯化銅(CuCl2·3Cu(OH)2)、氫氧化銅(Cu(OH)2)及氧化銅(CuO)等混合物沉淀;且當pH值升到12.5時,堿式氯化銅會形成氫氧化銅及氧化銅。
該現有技術是直接對含銅溶液加液堿及加熱,使含銅溶液的pH值升到12.5,如此可得到氫氧化銅及氧化銅沉淀;接下來以壓濾機進行壓濾4至6小時,再加熱烘烤3至4小時,使氫氧化銅脫水得到氧化銅。
然而在含銅溶液的pH值升到12.5時,除了得到氫氧化銅及氧化銅的化合物混合沉淀外,還會使其余非銅的金屬離子形成各自的混合物沉淀。舉例來說,非銅的金屬離子可能來自在電路板電鍍銅箔制備過程中,光澤劑中的添加劑,如砷(As)、銻(Te)及鉍(Bi);或是對銅箔進行粗化處理時所用的藥劑如鉻(Cr)、鈷(Co)、鎳(Ni)或鋅(Zn)等。在進行印刷電路板的蝕刻制備過程時,上述的金屬也會溶入含銅溶液中形成雜質。
由于含水的氫氧化銅具有黏性,在壓濾機進行壓濾步驟后得到的氫氧化銅及氧化銅混合物為極具黏性的塊狀物,不易處理。在烘烤步驟中,其目的是使氫氧化銅脫水形成氧化銅,但因在烘烤時,難以將熱能傳導至氫氧化銅及氧化銅混合物中心,僅能使部份氫氧化銅脫水形成氧化銅。此先前技術不但耗時,所得到的氧化銅的銅含量也僅有35%左右。
另一種現有技術是使用水浴法,將己酸堿中和的含銅溶液在熱交換管外循環6小時,熱交換管用高溫蒸汽間接加熱,可使氫氧化銅脫水形成氧化銅,再經板框壓濾機進行壓濾,再進行一次烘烤,可得到銅含量約近70%的氧化銅,然而此現有技術仍然相當耗時。
因此,有必要提供一種由含銅溶液制備氧化銅的方法,以改善上述所存在的問題。
發明內容
本發明的主要目的是提供一種由含銅溶液制備氧化銅的方法,以得到高純度的氧化銅。
本發明的由含銅溶液制備氧化銅的方法包括下列步驟:取得含銅溶液;調整含銅溶液的pH值以形成具有第一pH值的第一含銅溶液及含鐵沉淀物;調整第一含銅溶液的第一pH值以形成具有第二pH值的第二含銅溶液及第一含銅沉淀物;將第一含銅沉淀物形成具有第三pH值的第三含銅溶液及第二含銅沉淀物;以及分離第三含銅溶液及第二含銅沉淀物,其中第二含銅沉淀物包括氧化銅。
在本發明的一個實施方案中,第一pH值實質上介于3至6;第二pH值實質上介于7至8.5;且第三pH值實質上介于11至13.5。
本發明提供的由含銅溶液制備氧化銅的方法,對含銅溶液先后進行了移除雜質和調節pH值等步驟,提高了產品含銅量,又節約了時間,提高了產品質量。
附圖說明
圖1為本發明的由含銅溶液制備氧化銅方法的步驟流程圖。
具體實施方式
為讓本發明的上述和其它目的、特征和優點能更明顯易懂,下文特舉出較佳實施例,并配合附圖,作詳細說明如下。
請先參考圖1,圖1為本發明的由含銅溶液制備氧化銅方法的一實施例的步驟流程圖。
如圖1所示,本發明首先進行步驟S701,取得含銅溶液。
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