[發(fā)明專利]微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010105769.1 | 申請日: | 2010-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN102139854A | 公開(公告)日: | 2011-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 聶再強;賴東明;蔡豐在 | 申請(專利權(quán))人: | 鉅晶電子股份有限公司 |
| 主分類號: | B81C1/00 | 分類號: | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微機 系統(tǒng) 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種微機電系統(tǒng)(micro?electronic?mechanical?system,MEMs)結(jié)構(gòu)及其制造方法,并具體涉及一種可以避免在制造過程中導(dǎo)體層發(fā)生沾粘現(xiàn)象的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)
隨著技術(shù)不斷進步,目前已實現(xiàn)利用微加工技術(shù)來制作各式各樣的微機電系統(tǒng)裝置。舉例而言,這些微機電系統(tǒng)裝置例如包括馬達、泵、閥、開關(guān)、感應(yīng)器、像素及麥克風(fēng)等。
一般來說,在制造微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)時會先將介電層形成在基底上。然后,于基底上形成多個導(dǎo)體圖案,以及于介電層中形成接觸窗,以用來將導(dǎo)體圖案與基底上的電路電性連接,并提供對導(dǎo)體圖案的支撐。之后,進行濕式蝕刻工藝,以移除介電層。
然而,在以濕式蝕刻工藝移除介電層的過程中,導(dǎo)體圖案往往會因蝕刻液的表面張力而發(fā)生沾粘現(xiàn)象,即導(dǎo)體圖案與下方的膜層沾粘在一起,以及導(dǎo)體圖案彼此沾粘在一起,因而造成微機電系統(tǒng)失效。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,其可以避免在制造過程中導(dǎo)體圖案彼此之間發(fā)生沾粘現(xiàn)象。
本發(fā)明另提供一種微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,其可以將導(dǎo)體圖案固定而防止在濕式蝕刻工藝期間產(chǎn)生導(dǎo)體圖案彼此之間沾粘的問題。
本發(fā)明又提供一種微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu),其可以防止導(dǎo)體圖案向下沾粘。
本發(fā)明提出微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,其是先提供基底,該基底中具有多個導(dǎo)電區(qū)。然后,于基底上形成介電層。接著,于介電層中形成多個開口與多個凹槽,其中開口暴露出導(dǎo)電區(qū),且凹槽位于開口之間。而后,于介電層上形成導(dǎo)體層,并填滿開口與凹槽。然后,將導(dǎo)體層圖案化,以于介電層上形成多個第一導(dǎo)體圖案,以及于每個凹槽的側(cè)壁與底部上形成第二導(dǎo)體圖案,其中第一導(dǎo)體圖案通過第二導(dǎo)體圖案而彼此連接。隨后,移除介電層。之后,移除第一導(dǎo)體圖案之間的第二導(dǎo)體圖案。
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,上述將導(dǎo)體層圖案化的方法例如是先于導(dǎo)體層上形成硬化掩模層,該硬掩模層至少覆蓋部分位于凹槽中的導(dǎo)體層。然后,以硬掩模層為掩模,進行蝕刻工藝。之后,移除硬掩模層。
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,上述移除介電層的方法例如為濕式蝕刻工藝。
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,上述移除第一導(dǎo)體圖案之間的第二導(dǎo)體圖案的方法例如為干式蝕刻工藝。
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,上述的導(dǎo)體層的材料例如為摻雜多晶硅。
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,上述的介電層的材料例如為氧化物。
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,上述在形成介電層之前,還可以于基底上形成保護層。
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,上述的保護層的材料例如為氮化物。
本發(fā)明另提出一種微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,此方法是先提供基底,該基底具有多個導(dǎo)電區(qū)。然后,于基底上形成介電層。接著,于介電層中形成多個開口與一個溝槽,其中開口暴露出導(dǎo)電區(qū),且溝槽位于開口之間。而后,于溝槽中形成連接層。然后,于介電層與連接層上形成導(dǎo)體層,并填滿開口。隨后,將導(dǎo)體層圖案化,以于介電層與連接層上形成多個導(dǎo)體圖案,其中導(dǎo)體圖案通過連接層而彼此連接。然后,移除介電層。之后,移除第一導(dǎo)體圖案之間的連接層。
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,上述的連接層的材料例如與介電層的材料不同。
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,上述的連接層的材料例如為絕緣材料或?qū)щ姴牧稀?/p>
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,上述的連接層的材料例如為氮化硅、碳化硅或多晶硅。
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,上述的連接層的材料例如與導(dǎo)體層的材料相同,且形成連接層的步驟以及形成導(dǎo)體層的步驟同時進行。
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法,上述的溝槽例如自一個開口的周圍延伸至另一個開口的周圍。
依照本發(fā)明實施例所述的,上述移除第一導(dǎo)體圖案之間的連接層的方法例如為干式蝕刻工藝。
本發(fā)明又提出一種微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu),其包括基底、平行排列的多個導(dǎo)體圖案、多個接觸窗以及多個突起部分。基底具有多個導(dǎo)電區(qū)。導(dǎo)體圖案配置于基底上方。接觸窗配置于導(dǎo)體圖案與基底之間,以使導(dǎo)體圖案與導(dǎo)電區(qū)電性連接。突起部分配置于導(dǎo)體圖案下方,并位于接觸窗之間,且突起部分與導(dǎo)體圖案連接。
依照本發(fā)明實施例所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu),上述的突起部分例如位于每個導(dǎo)體圖案的邊緣處。
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