[發(fā)明專利]微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010105769.1 | 申請日： | 2010-01-28 |
| 公開（公告）號： | CN102139854A | 公開（公告）日： | 2011-08-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 聶再強;賴東明;蔡豐在 | 申請（專利權(quán)）人： | 鉅晶電子股份有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陶鳳波 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微機 系統(tǒng) 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：
提供基底，所述基底具有多個導(dǎo)電區(qū)；
在所述基底上形成介電層；
在所述介電層中形成多個開口與多個凹槽，其中所述多個開口暴露出所述多個導(dǎo)電區(qū)，且所述多個凹槽位在所述多個開口之間；
在所述介電層上形成導(dǎo)體層，并填滿所述多個開口與所述多個凹槽；
圖案化所述導(dǎo)體層，以在所述介電層上形成多個第一導(dǎo)體圖案，以及在所述多個凹槽的每個的側(cè)壁與底部上形成第二導(dǎo)體圖案，其中所述多個第一導(dǎo)體圖案通過多個第二導(dǎo)體圖案而彼此連接；
移除所述介電層；以及
移除所述多個第一導(dǎo)體圖案之間的所述多個第二導(dǎo)體圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中圖案化所述導(dǎo)體層的方法包括：
在所述導(dǎo)體層上形成硬掩模層，所述硬掩模層至少覆蓋部分位于所述多個凹槽中的所述導(dǎo)體層；
以所述硬掩模層為掩模，進(jìn)行蝕刻工藝；以及
移除所述硬掩模層。
3.如權(quán)利要求1所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中移除所述介電層的方法包括濕式蝕刻工藝。
4.如權(quán)利要求1所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中移除所述多個第一導(dǎo)體圖案之間的所述多個第二導(dǎo)體圖案的方法包括干式蝕刻工藝。
5.如權(quán)利要求1所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述導(dǎo)體層的材料包括摻雜多晶硅。
6.如權(quán)利要求1所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述介電層的材料包括氧化物。
7.如權(quán)利要求1所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在形成所述介電層之前，還包括在所述基底上形成保護層。
8.如權(quán)利要求7所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述保護層的材料包括氮化物。
9.一種微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：
提供基底，所述基底具有多個導(dǎo)電區(qū)；
在所述基底上形成介電層；
在所述介電層中形成多個開口與溝槽，其中所述多個開口暴露出所述多個導(dǎo)電區(qū)，且所述溝槽位在所述多個開口之間；
在所述溝槽中形成連接層；
在所述介電層與所述連接層上形成導(dǎo)體層，并填滿所述多個開口；
圖案化所述導(dǎo)體層，以在所述介電層與所述連接層上形成多個導(dǎo)體圖案，其中所述多個導(dǎo)體圖案通過所述連接層而彼此連接；
移除所述介電層；以及
移除所述多個第一導(dǎo)體圖案之間的所述連接層。
10.如權(quán)利要求9所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述連接層的材料與所述介電層的材料不同。
11.如權(quán)利要求9所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述連接層的材料包括絕緣材料或?qū)щ姴牧稀?/p>
12.如權(quán)利要求9所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述連接層的材料包括氮化硅、碳化硅或多晶硅。
13.如權(quán)利要求9所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述連接層的材料與所述導(dǎo)體層的材料相同，且形成所述連接層的步驟以及形成所述導(dǎo)體層的步驟同時進(jìn)行。
14.如權(quán)利要求9所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述溝槽自所述多個開口之一的周圍延伸至所述多個開口的另一個的周圍。
15.如權(quán)利要求9所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中移除所述介電層的方法包括濕式蝕刻工藝。
16.如權(quán)利要求9所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中移除所述多個第一導(dǎo)體圖案之間的所述連接層的方法包括干式蝕刻工藝。
17.如權(quán)利要求9所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述導(dǎo)體層的材料包括摻雜多晶硅。
18.如權(quán)利要求9所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述介電層的材料包括氧化物。
19.如權(quán)利要求9所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在形成所述介電層之前，還包括在所述基底上形成保護層。
20.如權(quán)利要求19所述的微機電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述保護層的材料包括氮化物。
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