[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010105368.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-01-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101859792A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-10-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 俆祥準(zhǔn);南基賢 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/82;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 王琦;王珍仙 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,包括
基板主體;
有機(jī)發(fā)光二極管,所述有機(jī)發(fā)光二極管形成在所述基板主體上;
濕氣吸收層,所述濕氣吸收層形成在所述基板主體上并覆蓋所述有機(jī)發(fā)光二極管;
第一阻擋層,所述第一阻擋層形成在所述基板主體上并覆蓋所述濕氣吸收層;
第一輔助阻擋層,所述第一輔助阻擋層形成在所述濕氣吸收層和所述第一阻擋層之間;
第二阻擋層,所述第二阻擋層形成在所述基板主體上并覆蓋所述第一阻擋層;和
第二輔助阻擋層,所述第二輔助阻擋層形成在所述第一阻擋層和所述第二阻擋層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述濕氣吸收層由包括選自由一氧化硅、一氧化鈣、一氧化鋇和它們的組合構(gòu)成的組中的一種的材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述濕氣吸收層通過(guò)熱蒸發(fā)工藝形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述熱蒸發(fā)工藝通過(guò)使用真空蒸發(fā)法進(jìn)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第一阻擋層和所述第二阻擋層各自由包括選自由Al2O3、TiO2、ZrO、SiO2、AlON、AlN、SiON、Si3N4、ZnO、Ta2O5和它們的組合構(gòu)成的組中的一種的材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第一阻擋層和所述第二阻擋層各自通過(guò)原子層沉積法形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第一阻擋層和所述第二阻擋層由彼此不同的材料形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第一輔助阻擋層通過(guò)所述第一阻擋層和所述濕氣吸收層之間的反應(yīng)在所述第一阻擋層和所述濕氣吸收層之間的界面形成,且包括所述第一阻擋層的至少部分組分和所述濕氣吸收層的至少部分組分。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述第二輔助阻擋層通過(guò)所述第二阻擋層和所述第一阻擋層之間的反應(yīng)在所述第二阻擋層和所述第一阻擋層之間的界面形成,且包括所述第二阻擋層的至少部分組分和所述第一阻擋層的至少部分組分。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中所述濕氣吸收層、所述第一輔助阻擋層、所述第一阻擋層、所述第二輔助阻擋層和所述第二阻擋層形成保護(hù)所述有機(jī)發(fā)光二極管的薄膜封裝層,且所述薄膜封裝層的整體厚度在1nm~1000nm的范圍內(nèi)。
11.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法,包括:
在基板主體上形成有機(jī)發(fā)光二極管;
通過(guò)熱蒸發(fā)工藝形成覆蓋所述有機(jī)發(fā)光二極管的濕氣吸收層;
通過(guò)原子層沉積法形成覆蓋所述濕氣吸收層的第一阻擋層;
通過(guò)所述第一阻擋層和所述濕氣吸收層之間的反應(yīng)在所述第一阻擋層和所述濕氣吸收層之間的界面形成第一輔助阻擋層;
通過(guò)原子層沉積法形成覆蓋所述第一阻擋層的第二阻擋層;和
通過(guò)所述第二阻擋層和所述第一阻擋層之間的反應(yīng)在所述第二阻擋層和所述第一阻擋層之間的界面形成第二輔助阻擋層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法,其中所述濕氣吸收層由包括選自由一氧化硅、一氧化鈣、一氧化鋇和它們的組合構(gòu)成的組中的一種的材料形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法,其中所述熱蒸發(fā)工藝包括真空蒸發(fā)法。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法,其中所述濕氣吸收層通過(guò)沉積由二氧化硅和硅氣體的反應(yīng)形成的一氧化硅而形成。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
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- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
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- 有機(jī)EL用途薄膜、以及有機(jī)EL顯示和有機(jī)EL照明





