[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法

有效

• 申請號: 201010105368.6
• 申請日: 2010-01-28
• 公開（公告）號: CN101859792A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 俆祥準;南基賢
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L21/82;H01L51/56
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 王琦;王珍仙

1.一種有機發光二極管顯示器，包括

基板主體；

有機發光二極管，所述有機發光二極管形成在所述基板主體上；

濕氣吸收層，所述濕氣吸收層形成在所述基板主體上并覆蓋所述有機發光二極管；

第一阻擋層，所述第一阻擋層形成在所述基板主體上并覆蓋所述濕氣吸收層；

第一輔助阻擋層，所述第一輔助阻擋層形成在所述濕氣吸收層和所述第一阻擋層之間；

第二阻擋層，所述第二阻擋層形成在所述基板主體上并覆蓋所述第一阻擋層；和

第二輔助阻擋層，所述第二輔助阻擋層形成在所述第一阻擋層和所述第二阻擋層之間。

2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中所述濕氣吸收層由包括選自由一氧化硅、一氧化鈣、一氧化鋇和它們的組合構成的組中的一種的材料形成。

3.根據權利要求2所述的有機發光二極管顯示器，其中所述濕氣吸收層通過熱蒸發工藝形成。

4.根據權利要求3所述的有機發光二極管顯示器，其中所述熱蒸發工藝通過使用真空蒸發法進行。

5.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中所述第一阻擋層和所述第二阻擋層各自由包括選自由Al₂O₃、TiO₂、ZrO、SiO₂、AlON、AlN、SiON、Si₃N₄、ZnO、Ta₂O₅和它們的組合構成的組中的一種的材料形成。

6.根據權利要求5所述的有機發光二極管顯示器，其中所述第一阻擋層和所述第二阻擋層各自通過原子層沉積法形成。

7.根據權利要求6所述的有機發光二極管顯示器，其中所述第一阻擋層和所述第二阻擋層由彼此不同的材料形成。

8.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示器，其中所述第一輔助阻擋層通過所述第一阻擋層和所述濕氣吸收層之間的反應在所述第一阻擋層和所述濕氣吸收層之間的界面形成，且包括所述第一阻擋層的至少部分組分和所述濕氣吸收層的至少部分組分。

9.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示器，其中所述第二輔助阻擋層通過所述第二阻擋層和所述第一阻擋層之間的反應在所述第二阻擋層和所述第一阻擋層之間的界面形成，且包括所述第二阻擋層的至少部分組分和所述第一阻擋層的至少部分組分。

10.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中所述濕氣吸收層、所述第一輔助阻擋層、所述第一阻擋層、所述第二輔助阻擋層和所述第二阻擋層形成保護所述有機發光二極管的薄膜封裝層，且所述薄膜封裝層的整體厚度在1nm～1000nm的范圍內。

11.一種有機發光二極管顯示器的制造方法，包括：

在基板主體上形成有機發光二極管；

通過熱蒸發工藝形成覆蓋所述有機發光二極管的濕氣吸收層；

通過原子層沉積法形成覆蓋所述濕氣吸收層的第一阻擋層；

通過所述第一阻擋層和所述濕氣吸收層之間的反應在所述第一阻擋層和所述濕氣吸收層之間的界面形成第一輔助阻擋層；

通過原子層沉積法形成覆蓋所述第一阻擋層的第二阻擋層；和

通過所述第二阻擋層和所述第一阻擋層之間的反應在所述第二阻擋層和所述第一阻擋層之間的界面形成第二輔助阻擋層。

12.根據權利要求11所述的有機發光二極管顯示器的制造方法，其中所述濕氣吸收層由包括選自由一氧化硅、一氧化鈣、一氧化鋇和它們的組合構成的組中的一種的材料形成。

13.根據權利要求12所述的有機發光二極管顯示器的制造方法，其中所述熱蒸發工藝包括真空蒸發法。

14.根據權利要求13所述的有機發光二極管顯示器的制造方法，其中所述濕氣吸收層通過沉積由二氧化硅和硅氣體的反應形成的一氧化硅而形成。