[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 201010105368.6 | 申請日: | 2010-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN101859792A | 公開(公告)日: | 2010-10-13 |
| 發明(設計)人: | 俆祥準;南基賢 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/82;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 王琦;王珍仙 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種有機發光二極管(OLED)顯示器及其制造方法。更具體地,涉及一種薄膜封裝的OLED顯示器及其制造方法。
背景技術
OLED顯示器具有自發光性質,且其與液晶顯示器(LCD)不同,由于無需單獨的光源而能夠降低厚度和重量。此外,OLED顯示器顯示出諸如低功耗、高亮度、高響應速度等高質量特性,從而作為下一代顯示器裝置引起人們廣泛關注。
OLED顯示器包括分別具有空穴注入電極、有機發光層和電子注入電極的多個OLED。當陽極和陰極將空穴和電子注入到有機發光層時,OLED利用在有機發光層內電子-空穴再結合而產生的激子所產生的能量發光,且在激子由激發態降至基態時顯示圖像。
然而,有機發光層對諸如濕氣和氧氣的外部環境因素很敏感,使得OLED顯示器的質量在暴露于濕氣或氧氣中時會變差。因此,為了保護OLED并防止濕氣和氧氣滲透到有機發光層中,通過另外的密封工藝將封裝基板密封在形成OLED的顯示器基板上,或者在OLED上形成厚保護層。
然而,當使用封裝基板或形成保護層時,為了完全防止濕氣或氧氣滲透到有機發光層中,OLED顯示器的制造工藝變得復雜,且OLED顯示器的整體厚度不能較薄地形成。
上述在背景技術中公開的信息僅僅是為了加強對本發明背景技術的理解,因此,它可能會包含不構成在此國內本領域技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本發明致力于提供一種OLED顯示器,所述OLED顯示器能夠有效地抑制濕氣或氧氣通過薄膜封裝層滲透到有機發光層中,并同時使整體厚度變薄。
此外,本發明提供了一種能夠有效地形成薄膜封裝層的OLED顯示器的制造方法。
有機發光二極管(OLED)顯示器包括基板主體、在所述基板主體上形成的OLED、在所述基板主體上形成并覆蓋所述OLED的濕氣吸收層、在所述基板主體上形成并覆蓋所述濕氣吸收層的第一阻擋層、在所述濕氣吸收層和所述第一阻擋層之間形成的第一輔助阻擋層、在所述基板主體上形成并覆蓋所述第一阻擋層的第二阻擋層,和在所述第一阻擋層和所述第二阻擋層之間形成的第二輔助阻擋層。
所述濕氣吸收層可由包括一氧化硅(SiO)、一氧化鈣(CaO)、一氧化鋇(BaO)或它們的組合的材料形成。
所述濕氣吸收層可通過熱蒸發工藝形成。所述熱蒸發工藝可用真空蒸發法進行。
所述第一阻擋層和所述第二阻擋層可分別由包括Al2O3、TiO2、ZrO、SiO2、AlON、AlN、SiON、Si3N4、ZnO、Ta2O5或它們的組合的材料形成。
所述第一阻擋層和所述第二阻擋層各自可通過原子層沉積(ALD)法形成。
所述第一阻擋層和所述第二阻擋層可由彼此不同的材料制成。
所述第一輔助阻擋層可通過所述第一阻擋層和所述濕氣吸收層之間的反應在所述第一阻擋層和所述濕氣吸收層之間的界面形成,且可包括所述第一阻擋層的至少部分組分和所述濕氣吸收層的至少部分組分。
所述第二輔助阻擋層可通過所述第二阻擋層和所述第一阻擋層之間的反應在所述第二阻擋層和所述第一阻擋層之間的界面形成,且可包括所述第二阻擋層的至少部分組分和所述第一阻擋層的至少部分組分。
所述濕氣吸收層、所述第一輔助阻擋層、所述第一阻擋層、所述第二輔助阻擋層和所述第二阻擋層可形成保護所述OLED的薄膜封裝層,且所述薄膜封裝層的整體厚度可在1nm~1000nm的范圍內。
根據本發明示例性實施方式的OLED顯示器的制造方法包括:在基板主體上形成OLED;通過熱蒸發工藝形成覆蓋所述OLED的濕氣吸收層;通過原子層沉積(ALD)法形成覆蓋所述濕氣吸收層的第一阻擋層;通過所述第一阻擋層和所述濕氣吸收層之間的反應在所述第一阻擋層和所述濕氣吸收層之間的界面形成第一輔助阻擋層;通過ALD法形成覆蓋所述第一阻擋層的第二阻擋層;和通過所述第二阻擋層和所述第一阻擋層之間的反應在所述第二阻擋層和所述第一阻擋層之間的界面形成第二輔助阻擋層。
所述濕氣吸收層可由包括一氧化硅(SiO)、一氧化鈣(CaO)、一氧化鋇(BaO)或它們的組合的材料形成。
所述濕氣吸收層可通過熱蒸發工藝形成。所述熱蒸發工藝可用真空蒸發法進行。
所述濕氣吸收層可通過沉積由二氧化硅(SiO2)和硅氣體的反應形成的一氧化硅而形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





