[發明專利]一種集成電路襯底噪聲的分布式抵消方法及電路無效
| 申請號: | 201010104730.8 | 申請日: | 2010-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN101794727A | 公開(公告)日: | 2010-08-04 |
| 發明(設計)人: | 梁國;劉曉鵬;郭清 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | H01L21/74 | 分類號: | H01L21/74;H01L21/82;H01L23/58 |
| 代理公司: | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡紅娟 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 集成電路 襯底 噪聲 分布式 抵消 方法 電路 | ||
1.一種集成電路襯底噪聲的分布式抵消方法,所述的集成電路包括 集成在同一硅襯底上的數字電路和模擬電路,且所述的模擬電路周圍布置 有保護環,其特征在于,對所述的噪聲進行分布式抵消的步驟如下:
a)采集數字電路產生的噪聲信號;
采集數字電路產生的噪聲信號的步驟由噪聲探測帶來完成,上述噪聲 探測帶位于靠近數字電路耦合襯底噪聲源的一側,用于充分采集硅襯底上 數字電路產生的噪聲信號;
b)將噪聲信號輸入反相運算放大器進行反相放大,得到噪聲抵消信 號;
c)將噪聲抵消信號并行的注入到硅襯底上靠近模擬電路的至少三個 噪聲注入點,與噪聲信號反相疊加,抵消傳遞到保護環內的噪聲信號;
所述的噪聲注入點位于噪聲信號探測帶與模擬電路的保護環之間。
2.如權利要求1所述的分布式抵消方法,其特征在于,所述的噪聲 注入點通過重摻雜形成。
3.一種集成電路襯底噪聲的分布式抵消電路,其特征在于,包括
設置在硅襯底上的噪聲探測帶,位于靠近數字電路耦合襯底噪聲源的 一側,用于充分的采集硅襯底上的數字電路產生的噪聲信號;
設置在硅襯底上的至少三個噪聲注入點:
所述的噪聲注入點,位于噪聲探測帶與模擬電路的保護環之間;
所述的噪聲注入點通過金屬并接在一起;
反相運算放大器,其輸入端與噪聲探測帶連接,反相運算放大器的輸 出端與所述的噪聲注入點連接;
所述的集成電路包括集成在同一硅襯底上的數字電路和模擬電路,且 所述的模擬電路周圍布置有保護環。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





