[發明專利]半導體激光元件的制造方法、半導體激光元件和光學裝置

無效

• 申請號: 201010103971.0
• 申請日: 2010-01-26
• 公開（公告）號: CN101789562A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 別所靖之;大保廣樹;竹內邦生;德永誠一;久納康光;畑雅幸
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/24
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及半導體激光元件的制造方法、半導體激光元件和光學裝置，特別涉及將第一半導體激光元件和第二半導體激光元件貼合的半導體激光元件的制造方法和半導體激光元件。

背景技術

現在，已知有將第一半導體激光元件和第二半導體激光元件貼合的半導體激光元件的制造方法。這樣的半導體激光元件，例如在日本特開2005-327905號公報中公開。

上述日本特開2005-327905號公報中，公開有一種半導體發光裝置(半導體激光元件)，該半導體發光裝置具有：在支撐基體上貼合的第一發光元件；和在第一發光元件的半導體層的表面貼合的、形成有第一元件和第二元件的第二發光元件。該日本特開2005-327905號公報中記載的半導體發光裝置，在與第一元件的發光點和第二元件的發光點相對的第一發光元件的半導體層上，分別設置有切口槽。通過這一對切口槽，來自第一元件的發光點和第二元件的發光點的光，在第一發光元件的半導體層反射，由此能夠抑制在不需要的方向上放射。其中，該半導體發光裝置的制造方法中，通過將預先芯片化后的第一發光元件和第二發光元件貼合，形成半導體發光裝置。

但是，在上述日本特開2005-327905號公報中所公開的半導體發光裝置中，因為是將預先芯片化后的第一發光元件和第二發光元件貼合，所以存在難以將第一發光元件的共振器面(光射出面)和第二發光元件的共振器面對齊在同一平面上的問題。

發明內容

本發明的第一方面的半導體激光元件的制造方法，包括：形成表面具有用于劈開的第一槽的第一半導體激光元件基板的工序；將第二半導體激光元件基板貼合在具有第一槽的表面上的工序；和之后為了在第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板上形成劈開面(解理面)，至少沿第一槽劈開(解理)第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板的工序。

在本發明的第一方面的半導體激光元件的制造方法中，如上所述，包括在具有第一槽的表面上貼合第二半導體激光元件基板的工序，和之后至少沿第一槽劈開第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板的工序，由此，在第一半導體激光元件基板的具有第一槽的表面一側上貼合有第二半導體激光元件基板的狀態下，同時劈開第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板，所以能夠在第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板上同時形成由劈開面構成的共振器面。由此，能夠容易地將第一半導體激光元件基板的共振器面和第二半導體激光元件基板的共振器面對齊在同一平面上。其中，“第一半導體激光元件基板”和“第二半導體激光元件基板”，分別表示半導體激光元件分割前的狀態，包括在基板上沒有形成半導體元件層的狀態下的基板和在基板上形成有半導體元件層的狀態下的基板這兩者。

在上述第一方面的半導體激光元件的制造方法中，優選形成表面具有第一槽的第一半導體激光元件基板的工序，包括在除第一半導體激光元件基板的導波通路及其附近外的區域中以虛線狀形成第一槽的工序。根據這樣的方案，第一槽形成在遠離作為發光部的第一半導體激光元件基板的導波通路及其附近的區域的位置，所以即使在形成第一槽的情況下，也能夠抑制第一半導體激光元件基板的導波通路受到損傷。此外，能夠以在除第一半導體激光元件基板的導波通路及其附近外的大致整個區域上延伸的方式形成第一槽，所以能夠更加可靠地劈開第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板。

在上述包括以虛線狀形成第一槽的工序的方案中，優選形成第一半導體激光元件基板的工序，包括在與導波通路延伸方向大致正交的方向上形成第一槽的工序。根據這樣的方案，通過第一槽，能夠沿與導波通路延伸方向大致正交的方向上劈開第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板，所以能夠容易地形成對于導波通路大致垂直的劈開面所構成的共振器面。

在上述包括以虛線狀形成第一槽的工序的方案中，優選第一半導體激光元件基板包括第一基板和在第一基板的表面上形成的第一半導體元件層，形成第一半導體激光元件基板的工序，包括形成具有從第一半導體元件層的表面至到達第一基板為止的深度的第一槽的工序。根據這樣的方案，例如，即使是用一般難以劈開的氮化物類半導體形成第一半導體激光元件基板的情況下，通過具有從第一半導體元件層的表面至到達第一基板為止的深度的第一槽，沒有形成第一槽的第一基板的厚度變得更小，相應地能夠更容易地劈開氮化物類半導體構成的第一半導體激光元件基板。