[發明專利]半導體激光元件的制造方法、半導體激光元件和光學裝置

無效

• 申請號: 201010103971.0
• 申請日: 2010-01-26
• 公開（公告）號: CN101789562A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 別所靖之;大保廣樹;竹內邦生;德永誠一;久納康光;畑雅幸
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/24
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體激光元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成表面具有用于劈開的第一槽的第一半導體激光元件基板的工序；

將第二半導體激光元件基板貼合在具有所述第一槽的所述表面上的工序；和

之后，為了在所述第一半導體激光元件基板和所述第二半導體激光元件基板上形成劈開面，至少沿所述第一槽劈開所述第一半導體激光元件基板和所述第二半導體激光元件基板的工序。

2.如權利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第一半導體激光元件基板的工序，包括在除所述第一半導體激光元件基板的導波通路及其附近之外的區域中以虛線狀形成所述第一槽的工序。

3.如權利要求2所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第一半導體激光元件基板的工序，包括在與所述導波通路的延伸方向大致正交的方向上形成所述第一槽的工序。

4.如權利要求2所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

所述第一半導體激光元件基板包括第一基板和在所述第一基板的表面上形成的第一半導體元件層，

形成所述第一半導體激光元件基板的工序，包括形成具有從所述第一半導體元件層的表面至到達所述第一基板為止的深度的所述第一槽的工序。

5.如權利要求2所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第一半導體激光元件基板的工序，包括從平面觀察以所述第一槽的至少一方的端部具有楔狀的方式形成所述第一槽的工序。

6.如權利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

在貼合所述第二半導體激光元件基板的工序后，進一步包括從平面觀察在與形成有所述第一槽的區域重合的位置上的所述第二半導體激光元件基板上形成第二槽的工序，

沿所述第一槽劈開的工序，包括沿著所述第一槽和所述第二槽同時劈開所述第一半導體激光元件基板和所述第二半導體激光元件基板的工序。

7.如權利要求6所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第二槽的工序，包括在與所述第一半導體激光元件基板相反側的所述第二半導體激光元件基板的表面形成所述第二槽的工序。

8.如權利要求6所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第二槽的工序，包括在所述第二半導體激光元件基板的端部附近形成所述第二槽的工序。

9.如權利要求6所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

形成所述第二槽的工序，包括在所述第二半導體激光元件基板上以虛線狀形成所述第二槽的工序。

10.如權利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

在沿所述第一槽劈開的工序后，進一步包括將由所述第二半導體激光元件基板的一部分構成的不要的區域除去的工序。

11.如權利要求10所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

除去所述不要的區域的工序，包括將相互貼合的所述第一半導體激光元件基板和所述第二半導體激光元件基板以芯片狀進行元件分割時，同時將所述不要的區域除去的工序。

12.如權利要求10所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

在將所述不要的區域除去的工序前，進一步包括在劈開面上形成保護膜的工序。

13.如權利要求10所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

在貼合所述第二半導體激光元件基板的工序后，進一步包括從平面觀察在與形成有所述第一槽的區域重合的位置上的所述第二半導體激光元件基板上形成第二槽的工序，

形成所述第二槽的工序包括在所述不要的區域上形成所述第二槽的工序。

14.如權利要求10所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于：

在將所述不要的區域除去的工序之前，進一步包括：

在所述第一半導體激光元件基板上形成第一元件分割槽的工序；和

在所述第二半導體激光元件基板的表面上形成用于將所述不要的區域除去的第二元件分割槽的工序。