[發明專利]柵驅動MOSFET的靜電放電測試結構及系統

有效

• 申請號: 201010102369.5
• 申請日: 2010-01-27
• 公開（公告）號: CN102136466A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: 朱志煒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/60;H01L23/544
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構，包括金屬氧化物半導體場效應晶體管和可調電阻，

所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極與柵極焊盤連接，所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極與源極焊盤連接，

所述柵極焊盤與所述源極焊盤間連接所述可調電阻，所述可調電阻接入所述柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構的電阻值根據柵偏置的需要進行調節。

2.根據權利要求1所述的柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構，其特征在于，所述連接通過包括金屬線在內的導體進行。

3.根據權利要求1或2所述的柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構，其特征在于，所述可調電阻包括線形電阻，所述線形電阻有多個電阻焊盤，所述多個電阻焊盤中的兩個電阻焊盤間的線形電阻長度與所述兩個電阻焊盤間的電阻值成正比。

4.根據權利要求3所述的柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構，其特征在于，所述源極焊盤和所述柵極焊盤分別與所述多個電阻焊盤中的第一電阻焊盤和第二電阻焊盤連接，所述第一電阻焊盤到所述第二電阻焊盤間的線形電阻長度等于需要接入所述柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構的電阻值所對應的線形電阻長度。

5.一種柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試系統，包括：多個柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構，

所述多個柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構中的每一個包括：金屬氧化物半導體場效應晶體管，

所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極與柵極焊盤連接，所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極與源極焊盤連接，

其中，所述多個柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構共享一個可調電阻，

所述多個柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構中的待靜電放電測試的柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構的金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極焊盤與源極焊盤間連接所述可調電阻，所述可調電阻接入所述待靜電放電測試的柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構的電阻值根據柵偏置的需要進行調節；

所述多個柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構中不進行靜電放電測試的柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構的金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極焊盤和源極焊盤間斷開與所述可調電阻的連接。

6.根據權利要求5所述的柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試系統，其特征在于，所述可調電阻包括線形電阻，所述線形電阻有多個電阻焊盤，所述多個電阻焊盤中的兩個電阻焊盤間的線形電阻長度與所述兩個電阻焊盤間的電阻值成正比。

7.根據權利要求6所述的柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試系統，其特征在于，所述待靜電放電測試的柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構的所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的所述柵極焊盤和所述源極焊盤分別與所述多個電阻焊盤中的第一電阻焊盤和第二電阻焊盤連接，所述第一電阻焊盤到所述第二電阻焊盤間的線形電阻長度等于需要接入所述待靜電放電測試的柵驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管的靜電放電測試結構的電阻值所對應的線形電阻長度。