[發明專利]PVDF有機聚合物薄膜電容器

有效

• 申請號: 201010101879.0
• 申請日: 2010-01-27
• 公開（公告）號: CN101752087A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 李超;孫璟蘭;孟祥建;王建祿;田莉;喬輝;張燕;李向陽
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01G4/33
• 分類號: H01G4/33;H01G4/14;H01G4/005;H01L21/02
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種PVDF有機聚合物薄膜光刻方法制備的電容器器件，其特征在于， 器件結構包括：

一襯底；

一金屬底電極，該金屬底電極生長在襯底上；

一介電絕緣層，該介電絕緣層生長在金屬底電極上，邊緣落于襯底上，并 且有開孔；

一有機聚合物薄膜，該有機聚合物薄膜生長在介電絕緣層開孔上，并且該 有機聚合物薄膜的面積大于介電絕緣層的開孔面積，邊緣落在介電絕緣層上；

一金屬上電極，該金屬上電極生長在有機聚合物薄膜層上；

一包裹電極，該包裹電極生長在金屬上電極上，將有機聚合物薄膜與金屬 上電極包裹起來，邊緣落在介電絕緣層上。

2.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜光刻方法制備的電容 器器件，其特征在于，其中所述的襯底為藍寶石、硅、氮化鎵或ITO玻璃。

3.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜光刻方法制備的電容 器器件，其特征在于，其中所述的金屬底電極為熱蒸發低溫沉積的鋁電極，電 極為長方形結構，厚度不小于100nm。

4.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜光刻方法制備的電容 器器件，其特征在于，其中所述的介電絕緣層為二氧化硅或氮化硅絕緣層，介 電絕緣層將部分金屬底電極包裹起來，邊緣落于襯底上，介電絕緣層為孔型， 開孔略小于有機聚合物薄膜的面積。

5.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜光刻方法制備的電 容器器件，其特征在于，其中所述的有機聚合物薄膜為溶膠凝膠法或LB膜法 制備的PVDF薄膜，厚度為30nm-300nm。

6.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜光刻方法制備的電容 器器件，其特征在于，其中所述的金屬上電極為厚度不小于100nm熱蒸發低 溫沉積的鋁電極，該金屬上電極面積與PVDF有機聚合物薄膜功能區面積相 同。

7.根據權利要求1所述的一種PVDF有機聚合物薄膜光刻方法制備的電容 器器件，其特征在于，其中所述的包裹電極為熱蒸發沉積的厚度不小于150nm 的金電極，電極為長方形結構，與金屬底電極交叉成十字，邊緣落在介電絕緣 層上，其面積大于PVDF有機聚合物薄膜功能區面積，將PVDF有機聚合物薄 膜功能區側面及上電極包裹起來。