[發明專利]三氯氫硅合成爐供氣結構

無效

• 申請號: 201010101111.3
• 申請日: 2010-01-22
• 公開（公告）號: CN101798087A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發明（設計）人: 王國林
• 申請（專利權）人: 江蘇福斯特石化裝備有限公司
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種化學合成爐供氣結構，具體地講，是一種用于合成三氯氫硅的合成爐供氣結構。

背景技術

三氯氫硅是一種合成化工原料，它由合成爐內彌散的硅粉與氯化氫氣在設定溫度條件下化合而成。合成爐結構對三氯氫硅合成效率有著很大的影響，特別是供氣結構的影響最大。工程中常規合成爐的結構是立式結構，供氣結構位于底部，氯化氫氣通過密排的噴嘴從下向上直線噴入到反應段內。現有技術采用直噴氣供氣結構，該結構相對比較簡單，能夠有效供氣，但所供氣呈層流輸入，供氣均勻性不夠理想，在爐內反應段易形成供氣盲區或弱區。顯然，此區域內因供氣不均而合成不足，直接降低了合成爐的合成效率，降低了產品品質。

發明內容

本發明主要針對現有技術的不足，提出一種結構簡單、供氣均勻、合成效率高的三氯氫硅合成爐供氣結構。

本發明通過下述技術方案實現技術目標。

三氯氫硅合成爐供氣結構，它包括反應段、供氣室及其相配合處平置的氣體分布板。板狀的氣體分布板板面上均布軸向通孔，朝反應段一側的通孔為螺孔，每只螺孔都配裝噴嘴。其改進之處在于：內空結構的噴嘴上端為盲端，底端敞口與氣體分布板上的通孔相通，噴嘴腰部壁上對稱設有出氣口。

上述結構中，噴嘴腰部壁上的出氣口為斜孔，出氣口軸線與噴嘴軸線相交的夾角為40°～50°。

本發明與現有技術相比，具有以下積極效果：

1、在噴嘴壁上設置朝下的出氣口，結構簡單、易制造；

2、噴嘴壁上朝下斜置的出氣口，構成反射式噴氣結構，反復折射有利于氯化氫氣均勻散開，增加與彌散的硅粉合成反應機會，提高合成效率。

附圖說明

圖1是本發明結構剖面示意圖。

圖2是噴嘴與氣體分布板相配合的I局部放大示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步說明。

圖1所示的三氯氫硅合成爐供氣結構，它包括位于上部的反應段1、下部的供氣室4及其相配合處平置的氣體分布板3。板狀的氣體分布板3板面上均布軸向通孔3.1，面朝反應段1一側的通孔3.1為螺孔，每只螺孔都配裝噴嘴2。所述的噴嘴2為內空結構，其朝上的頂端為盲端，底端敞口與氣體分布板3的通孔3.1相通，噴嘴2腰部壁上對稱設有斜置的出氣口2.1，本實施例中，出氣口2.1軸線與噴嘴2軸線相交的夾角為45°。從合成爐外輸入的氯化氫氣從氣體分布板3中的通孔3.1進入噴嘴2，再順著噴嘴2腰部壁上斜置的出氣口2.1噴向氣體分布板3的上表面，斜噴出的氯化氫氣在反應段1內易形成90°角的反復折射。氯化氫氣在反應段1內反復折射進一步增加與彌散的硅粉合成反應機會，可顯著提高合成效率。

本發明中，噴嘴2壁上的出氣口2.1軸線與噴嘴2軸線相交的夾角，設成40°或50°都具有較大的反射角，其實施效果與上例相似，僅合成效率略低于45°夾角。