[發明專利]低相噪全PMOS考比茲晶體振蕩器放大器電路

無效

• 申請號: 201010101082.0
• 申請日: 2010-01-22
• 公開（公告）號: CN101789758A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 何程明
• 申請（專利權）人: 蘇州銳調科技有限公司
• 主分類號: H03B5/36
• 分類號: H03B5/36;H03B5/02;H03B5/06
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 許方

1.一種低相噪全PMOS考比茲晶體振蕩器放大器電路，包括振蕩器放大電路，其特征在于還包括起振偏置電路、振幅與峰值檢測電路、振幅比較電路和振幅控制電路，其中振幅控制電路串接振幅比較電路后接振蕩器放大電路的輸入端，振蕩器放大電路的輸出端串接振幅與峰值檢測電路后接振幅比較電路的輸入端，起振偏置電路的輸出端接振蕩器放大電路的輸入端，晶體分別接振蕩器放大電路、振幅控制電路與振幅與峰值檢測電路的輸入端。

2.根據權利要求1所述的低相噪全PMOS考比茲晶體振蕩器放大器電路，其特征在于所述振蕩器放大電路由第三、第四電容(C3、C4)以及第一、第二MOS管(M1、M2)構成，其中第三電容(C3)的一端分別接晶體的一端、第一MOS管(M1)的柵極和振幅與峰值檢測電路的輸入端，第三電容(C3)的另一端分別接第四電容(C4)的一端、第一MOS管(M1)的漏極和第二MOS管(M2)的源極，第四電容(C4)的另一端分別與晶體的另一端、第一MOS管(M1)的源極連接接地，第二MOS管(M2)的漏極接直流電源(vdd)，第二MOS管(M2)的柵極分別與起振偏置電路和振幅比較電路的輸出端連接。

3.根據權利要求1所述的低相噪全PMOS考比茲晶體振蕩器放大器電路，其特征在于所述振幅與峰值檢測電路由第五MOS管(M5)、第九電阻(R9)以及第九、第十電容(C9、C10)構成，其中第五MOS管(M5)的源極接直流電源(vdd)，第五MOS管(M5)的柵極分別接接振蕩器放大電路和晶體，第五MOS管(M5)的漏極分別接第九電阻(R9)的一端和第十電容(C10)的一端，第九電阻(R9)的另一端分別接振幅比較電路的輸入端和第九電容(C9)的一端，第九電容(C9)的另一端與第十電容(C10)的另一端連接接地。

4.根據權利要求1所述的低相噪全PMOS考比茲晶體振蕩器放大器電路，其特征在于所述起振偏置電路包括第九MOS管(M9)和第二電流源(I2)，其中第九MOS管(M9)的漏極接直流電源(vdd)，第九MOS管(M9)的柵極分別接第九MOS管(M9)的源極和第二電流源(I2)的輸入端，第二電流源(I2)的輸出端接地。

5.根據權利要求1所述的低相噪全PMOS考比茲晶體振蕩器放大器電路，其特征在于所述振幅控制電路包括第四MOS管(M4)、第一電阻(R1)和第一電流源(I1)，其中第一電阻(R1)的一端接晶體，第一電阻(R1)的另一端分別接第四MOS管(M4)的柵極和源極以及第一電流源(I1)的輸入端，第一電流源(I1)的輸出端接地，第四MOS管(M4)的漏極接振幅比較電路的輸入端。

6.根據權利要求2所述的低相噪全PMOS考比茲晶體振蕩器放大器電路，其特征在于所述第一MOS管(M1)為PMOS管。

7.根據權利要求2所述的低相噪全PMOS考比茲晶體振蕩器放大器電路，其特征在于所述第二MOS管(M2)為PMOS管。